硅外延生長溫度和氣體流量控制的優(yōu)化設(shè)計(jì)
發(fā)布時間:2024-11-03 10:27
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異的背景下,產(chǎn)品品質(zhì)的不斷提升,而桶式外延設(shè)備由于自身結(jié)構(gòu)特性,已不能適應(yīng)硅外延產(chǎn)品的發(fā)展現(xiàn)狀,特別是生產(chǎn)的6英寸產(chǎn)品基本無法滿足客戶的要求,因此此類設(shè)備面臨著被淘汰的風(fēng)險。為了挽救這些即將被報廢設(shè)備,本文對工藝原理及設(shè)備結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入學(xué)習(xí)和研究,通過優(yōu)化設(shè)計(jì),最終解決了面臨的難題,充分利用設(shè)備的價值,開發(fā)了設(shè)備的潛力。本文的設(shè)計(jì)對推動外延品質(zhì)的提升,促進(jìn)我國硅外延事業(yè)的發(fā)展都有著重要的意義。本文以硅外延產(chǎn)品為研究對象,主要研究工作包括兩個方面:針對規(guī)模生產(chǎn)出現(xiàn)的電阻率一致性不好的問題,進(jìn)行了研究分析,特別是在生長溫度方面,通過研究理論知識和離子注入片的特性,選擇了用溫度補(bǔ)償?shù)姆椒ㄒ种茰囟确植嫉牟痪鶆?并設(shè)計(jì)出了不同的方案,找到最優(yōu)結(jié)果,優(yōu)化了生長溫度。針對厚度一致性不好的問題進(jìn)行分析,重點(diǎn)研究了氣體流量的原理,對比設(shè)備的環(huán)向氣流與縱向氣流對系統(tǒng)的影響,找出差別,通過設(shè)計(jì),最終優(yōu)化了氣體流量。文中的所有設(shè)計(jì)都是在現(xiàn)有工藝無法解決的前提下,從設(shè)備方向入手,找出這些設(shè)備本身的缺陷,通過改變固有的結(jié)構(gòu),創(chuàng)新性地使用不同材料和組成方式實(shí)現(xiàn)優(yōu)化。最后將設(shè)計(jì)的方案實(shí)物化,并將其運(yùn)用在...
【文章頁數(shù)】:52 頁
【學(xué)位級別】:碩士
【部分圖文】:
本文編號:4011123
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【部分圖文】:
圖2-1硅外延設(shè)備示意圖(1)反應(yīng)器:材質(zhì)大部分為石英制品,它的構(gòu)造發(fā)展過程是由開始的臥式逐步演變?yōu)楝F(xiàn)的立式和桶式。其中臥式結(jié)構(gòu)的主要特點(diǎn)是石英管(如今大部分為了改良一致性使用矩形)擺放時與水平面平行,用來擺放襯底的石墨基座表層包裹了一層碳化硅材質(zhì)的涂層,與
圖2-2PE-2061結(jié)構(gòu)圖外延爐,這種外延爐能非常好的解決厚度和電阻率均勻性的問題,特產(chǎn)品,并且降低了因意外事故造成的經(jīng)濟(jì)損失,隨著微電子工業(yè)的發(fā)[11]
圖2-3紅外反射示意圖δ=(AB+BC)-AD=2Tcos;度;
對電阻率均勻性的影響是顯著的,根據(jù)經(jīng)驗(yàn),每當(dāng)溫度改變4到5℃,將引起化量。因腔體內(nèi)的溫度分布無法直接測量,為確定在PE-2061的成熟工藝配存在一致性不好的問題,影響到電阻率的均勻性,于是借用了離子注入片進(jìn)行離子注入,就是將摻雜物質(zhì)電離,然后在靜電場中加速,使摻雜元素的....
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