研制了高電流增益截止頻率（f_T）的In Al N/Ga N高電子遷移率晶體管（HEMT）。采用金屬有機化學(xué)氣相沉積（MOCVD）再生長n⁺GaN非合金歐姆接觸工藝將器件源漏間距縮小至600 nm,降低了源、漏寄生電阻,有利于改善器件的寄生效應(yīng);使用低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長SiN作為柵下介質(zhì),降低了InAlN/GaN HEMT柵漏電;利用電子束光刻實現(xiàn)了柵長為50 nm的T型柵。此外,還討論了寄生效應(yīng)對器件f_T的影響。測試結(jié)果表明,器件的柵漏電為3.8μA/mm,飽和電流密度為2.5 A/mm,f_T達到236 GHz。延時分析表明,器件的寄生延時為0.13 ps,在總延時中所占的比例為19%,優(yōu)于合金歐姆接觸工藝的結(jié)果。

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宋旭波等:電流增益截止頻率為236GHz的InAlN/GaN高頻HEMT櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶April2017SemiconductorTechnologyVol．42No．4277圖3器件照片F(xiàn)ig.3P....

宋旭波等:電流增益截止頻率為236GHz的InAlN/GaN高頻HEMT櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶櫶278半導(dǎo)體技術(shù)第42卷第4期2017年4月圖6InAlN/GaNHEMT的小信號特性曲線Fig.6Small-s....

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