發(fā)布時間：2024-06-29 15:30

　　隨著量子阱材料的發(fā)展,量子阱器件廣泛應用于各種領域。激子對描述半導體的光學以及電學特性具有重要意義,并且激子效應對半導體中的光吸收、發(fā)光等物理過程具有重要影響,因此研究激子對半導體光電子器件的設計和制作具有非常重要意義。與半導體體材料相比,在量子阱結構中,激子的束縛能要大得多,而且在較高溫度或在電場作用下更穩(wěn)定。從理論上研究量子阱材料的電子態(tài)對新型量子阱器件設計具有重要的理論價值和指導意義。CdMnTe量子阱材料是一類新型半導體材料,與其它半導體材料不同,它摻入了具有磁性的Mn2+,使得CdMnTe材料兼具半導體和磁性材料的性質(zhì)。這種特殊的性質(zhì)使其具有很多優(yōu)良的物理性能,因此在器件應用上具有很多潛在的價值,從而對CdMnTe材料的深入研究具有重要意義。本文在有效質(zhì)量包絡函數(shù)近似下采用變分法對Cd1-x MnxTe/CdTe量子阱中激子結合能進行了研究,主要內(nèi)容如下:1.闡述了量子阱、量子阱材料和Cd1-x MnxTe/CdTe量子阱材料的發(fā)展與應用,并且對激子進行了簡單的闡述。2.簡單地介紹了量子阱結構中電子態(tài)的主要理論計算方法,即有效質(zhì)量包絡函數(shù)、打靶法、變分法和激子結合能的計算方法...

【文章頁數(shù)】：54 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引論
        1.1.1 量子阱材料的發(fā)展及應用
        1.1.2 Cd1-xMnxTe半導體材料的發(fā)展及應用
        1.1.3 激子
    1.2 本論文的主要工作
第二章 理論計算方法
    2.1 有效質(zhì)量包絡函數(shù)近似
    2.2 打靶法
    2.3 變分法
    2.4 激子結合能
    2.5 小結
第三章 方型量子阱中激子結合能的研究
    3.1.引言
    3.2 理論模型
    3.3 結果與討論
        3.3.1 單量子結果與討論
        3.3.2 雙量子結果與討論
        3.3.3 多量子阱結果與討論
    3.4 小結
第四章 拋物型和三角型量子阱中激子結合能的研究
    4.1 引言
    4.2 理論方法
    4.3 結果及討論
        4.3.1 拋物型量子阱結果與討論
        4.3.2 三角型量子阱結果與討論
    4.4 小結
第五章 非對稱量子阱中激子結合能的研究
    5.1 引言
    5.2 理論模型
    5.3 結果與討論
        5.3.1 非對稱雙量子阱結果與討論
        5.3.2 階梯型量子阱結果與討論
    5.4 小論
第六章 總結與展望
參考文獻
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致謝



本文編號：3997761