發(fā)布時間：2024-06-07 19:26

　　硅片表面納米級污染顆粒的檢測與去除是集成電路制造(Integrated Circuit, IC)的關(guān)鍵環(huán)節(jié).本文主要對納秒級脈沖激光作用至硅片表面后納米顆粒的動力學(xué)過程及顆粒成分在線檢測方法進(jìn)行了研究.搭建了雙脈沖激光測量實(shí)驗(yàn)系統(tǒng),并通過實(shí)驗(yàn)對300 nm Cu顆粒進(jìn)行了雙脈沖激光實(shí)驗(yàn)觀測,通過分析表征顆粒運(yùn)動軌跡的擊穿光譜特征,從實(shí)驗(yàn)上觀測到了清洗激光作用后顆粒沿垂直硅片表面向上的運(yùn)動軌跡.在綜合考慮空氣碰撞阻力、顆粒重力的影響下,建立了激光清洗后顆粒的運(yùn)動模型,并與實(shí)驗(yàn)相結(jié)合求解了運(yùn)動模型參數(shù),計算獲得了清洗激光作用后顆粒的初始速度和激光作用時間內(nèi)顆粒的平均加速度.本文為激光誘導(dǎo)晶圓表面納米顆粒去吸附以及激光至納米顆粒動力學(xué)過程研究提供了一種模型方法,也為集成電路污染源在線檢測提供了一種重要方法.

【文章頁數(shù)】：8 頁


本文編號：3990990