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TiO 2 單晶中亞穩(wěn)氧空位有序態(tài)增強的憶阻特性(英文)

發(fā)布時間:2024-05-29 05:38
  氧空位作為氧化物材料的本征缺陷對材料的性能有很大的影響,利用氧空位來調(diào)控材料性能近年來備受關(guān)注.關(guān)于氧空位在材料中的工作方式,一個重要的觀點認(rèn)為,氧空位傾向于組成有序結(jié)構(gòu),以集體的而非個體的方式影響材料性能.目前,雖然文獻中有大量關(guān)于氧空位有序的研究,但大多仍限于理論方面.本文對金紅石相TiO2單晶氧空位的高溫行為進行了系統(tǒng)實驗研究.介電譜研究結(jié)果發(fā)現(xiàn),在330°C附近出現(xiàn)了一個由氧空位無序-有序相變引起的介電峰,高溫同步輻射原位勞厄衍射進一步證明了氧空位有序發(fā)生在200~500°C溫度區(qū)間,沿c軸方向形成超點陣.第一性原理計算也表明,氧空位之間存在相互作用,氧空位有序態(tài)穩(wěn)定地出現(xiàn)在(110)面,沿c軸方向形成"之"字形一維鏈.與TiO2中熟知的氧空位有序相——Magnéli相不同,觀察到的氧空位有序相是一種新的亞穩(wěn)相.這種有序相的出現(xiàn)導(dǎo)致一級相變,造成介電常數(shù)的巨大增強.同時本文還發(fā)現(xiàn),在很小的直流電場作用下, TiO2晶體中的這種氧空位一維鏈容易形成導(dǎo)電通道,導(dǎo)致低電場下的憶阻特性.后續(xù)工作如能把氧空位有序態(tài)移到室溫...

【文章頁數(shù)】:9 頁

【文章目錄】:
1. Introduction
2. Materials and methods
    2.1. Material characterizations and dielectric measurements
    2.2. In situ synchrotron Laue diffraction experiments
    2.3. First-principles calculations
3. Results and discussion
4. Conclusions
Conflict of interest
Author contributions
Appendix A.Supplementary materials



本文編號:3984149

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