考慮NBTI的動(dòng)態(tài)休眠管尺寸電源門控設(shè)計(jì)
[Abstract]:In the current design of nano-complementary metal oxide semiconductor (complementary metal oxide semiconductor,CMOS) integrated circuits, the use of power gating (power gating,PG) technology to reduce static power consumption has become a trend. With the shrinking of IC process size, negative bias temperature instability (negative bias temperature instability,NBTI) brings about more and more serious circuit aging problems. When the head type PG circuit is in normal working mode, the dormant tube (sleep transistor,ST) will be affected by the aging effect of NBTI, and the performance loss of the PG circuit will be aggravated. Based on the analysis of the aging characteristics of NBTI in PG circuits, a performance loss model of PG circuits considering NBTI is proposed in this paper. The NBTI aging characteristics of the PG circuit are used to group the ST and to reduce the performance loss of the PG circuit caused by the ST aging by adjusting the size or on-resistance of the ST dynamically by intermittently switching on the ST,. The results show that the dynamic ST size method can increase the service life of PG circuits by about 30% compared with the traditional ST size method, and the proposed model is consistent with the trend of HSPICE simulation results.
【作者單位】: 合肥工業(yè)大學(xué)電子科學(xué)與應(yīng)用物理學(xué)院;安徽理工大學(xué)計(jì)算機(jī)科學(xué)與工程學(xué)院;
【基金】:國家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61371025;61574052;61404001)
【分類號(hào)】:TN432
【參考文獻(xiàn)】
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【共引文獻(xiàn)】
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【二級參考文獻(xiàn)】
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,本文編號(hào):2471950
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