【摘要】：利用化學浴沉積法制備了不同Ga摻雜量的ZnS(ZnS∶Ga)薄膜,并采用熱氧化法生長了Ga摻雜ZnO(ZnO∶Ga)薄膜,研究了ZnO∶Ga薄膜的表面形貌、成分及光致發(fā)光性能。結果表明:Ga的摻入改變了ZnO薄膜的微觀結構、化學計量比、氧空位的相對含量,進而影響了薄膜的光致發(fā)光性能。隨著Ga摻雜量增加,ZnO薄膜的致密度提高,顆粒尺寸減小;同時改善了ZnO的化學計量比,氧空位相對含量隨之減少;ZnO薄膜的紫外光與可見光強度比增大。
[Abstract]:ZnS (ZnS:Ga) thin films doped with different amounts of Ga were prepared by chemical bath deposition, and Ga-doped ZnO (ZnO:Ga) films were grown by thermal oxidation. The surface morphology, composition and photoluminescence properties of ZnO:Ga films were studied. The results show that the doping of Ga changes the microstructure, stoichiometric ratio and relative oxygen vacancy content of ZnO thin films, and then affects the photoluminescence properties of the films. With the increase of Ga doping, the density of ZnO films increases and the particle size decreases, while the relative oxygen vacancy content decreases with the improvement of the stoichiometric ratio of ZnO, and the UV / visible light intensity ratio of ZnO films increases.
【作者單位】： 西安理工大學材料科學與工程學院;陜西省電工材料與熔滲技術重點實驗室;
【基金】：國家自然科學基金(51202191) 陜西省自然科學基礎研究計劃(2015JM5179) 陜西省教育廳重點實驗室科學研究計劃項目(15JS072)
【分類號】：TN304.2

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本文編號：2471919