發(fā)布時(shí)間：2018-10-09 14:52

【摘要】：本文對氮化硅的增強(qiáng)電容耦合等離子刻蝕進(jìn)行研究,為氮化硅刻蝕工藝的優(yōu)化提供參考。針對SF_6+O_2氣體體系,通過設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)考察了功率、壓強(qiáng)、氣體比、氦氣等對刻蝕速率和均一性的影響,并對結(jié)果進(jìn)行機(jī)理分析和討論。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:功率越大,刻蝕速率越大,與源極射頻電力相比,偏置射頻電力對刻蝕速率的影響更為顯著;壓強(qiáng)增大,刻蝕速率增大,但壓強(qiáng)增大到一定程度后,刻蝕速率基本不變,刻蝕均勻性隨著壓強(qiáng)增大而變差;在保證SF_6/O_2總流量保持不變下,O_2的比例增大,刻蝕速率先增大后減小,刻蝕均勻性逐步變好;He的添加可以改善刻蝕均勻性,但He的添加量過多時(shí),會(huì)造成刻蝕速率降低。
[Abstract]:In this paper, the enhanced capacitive coupled plasma etching of silicon nitride is studied, which provides a reference for the optimization of silicon nitride etching process. The effects of power, pressure, gas ratio and helium gas on etching rate and uniformity of SF_6 O _ 2 gas system were investigated by designing experiments. The mechanism of the results was analyzed and discussed. The experimental results show that the higher the power, the higher the etching rate. Compared with the source RF power, the bias RF power has more significant effect on the etching rate, the pressure increases, the etching rate increases, but the pressure increases to a certain extent. The etching rate is basically unchanged, the etching uniformity becomes worse with the increase of pressure, and the proportion of O _ S _ 2 increases under the condition of keeping the total SF_6/O_2 flow constant, the etching rate increases first and then decreases, and the etching uniformity is improved gradually by the addition of he. However, when the amount of He is too much, the etching rate will be reduced.
【作者單位】： 北京京東方顯示技術(shù)有限公司;
【分類號】：TN305.7

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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本文編號：2259743