【摘要】：本文對氮化硅的增強電容耦合等離子刻蝕進行研究,為氮化硅刻蝕工藝的優(yōu)化提供參考。針對SF_6+O_2氣體體系,通過設(shè)計實驗考察了功率、壓強、氣體比、氦氣等對刻蝕速率和均一性的影響,并對結(jié)果進行機理分析和討論。實驗結(jié)果表明:功率越大,刻蝕速率越大,與源極射頻電力相比,偏置射頻電力對刻蝕速率的影響更為顯著;壓強增大,刻蝕速率增大,但壓強增大到一定程度后,刻蝕速率基本不變,刻蝕均勻性隨著壓強增大而變差;在保證SF_6/O_2總流量保持不變下,O_2的比例增大,刻蝕速率先增大后減小,刻蝕均勻性逐步變好;He的添加可以改善刻蝕均勻性,但He的添加量過多時,會造成刻蝕速率降低。
[Abstract]:In this paper, the enhanced capacitive coupled plasma etching of silicon nitride is studied, which provides a reference for the optimization of silicon nitride etching process. The effects of power, pressure, gas ratio and helium gas on etching rate and uniformity of SF_6 O _ 2 gas system were investigated by designing experiments. The mechanism of the results was analyzed and discussed. The experimental results show that the higher the power, the higher the etching rate. Compared with the source RF power, the bias RF power has more significant effect on the etching rate, the pressure increases, the etching rate increases, but the pressure increases to a certain extent. The etching rate is basically unchanged, the etching uniformity becomes worse with the increase of pressure, and the proportion of O _ S _ 2 increases under the condition of keeping the total SF_6/O_2 flow constant, the etching rate increases first and then decreases, and the etching uniformity is improved gradually by the addition of he. However, when the amount of He is too much, the etching rate will be reduced.
【作者單位】： 北京京東方顯示技術(shù)有限公司;
【分類號】：TN305.7

【參考文獻】

相關(guān)期刊論文 前5條

1 李田生;陳旭;謝振宇;徐少穎;閔泰燁;張學(xué)智;;過孔刻蝕工藝優(yōu)化對過孔尺寸減小的研究[J];液晶與顯示;2014年05期

2 王曉光;朱曉明;尹延昭;;等離子體刻蝕工藝的優(yōu)化研究[J];中國新技術(shù)新產(chǎn)品;2010年14期

3 茍君;吳志明;太惠玲;袁凱;;氮化硅的反應(yīng)離子刻蝕研究[J];電子器件;2009年05期

4 吳清鑫;陳光紅;于映;羅仲梓;;PECVD法生長氮化硅工藝的研究[J];功能材料;2007年05期

5 謝曉強,戴旭涵,趙小林,丁桂甫,蔡炳初;反應(yīng)離子刻蝕中的邊緣效應(yīng)及其補償辦法[J];真空電子技術(shù);2005年02期

【共引文獻】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 白金超;王靜;趙磊;張益存;郭會斌;曲泓銘;宋勇志;張亮;;氮化硅的ECCP刻蝕特性研究[J];液晶與顯示;2017年07期

2 趙麗敏;楊飛飛;;多晶硅電池工藝對組件衰減影響的研究[J];山西化工;2017年02期

3 魏挺;;晶體硅太陽電池制備研究[J];科技廣場;2017年03期

4 張立祥;王海濤;王尤海;夏慶峰;;排氣方式及工藝參數(shù)對等離子體刻蝕a-Si均一性的影響[J];液晶與顯示;2016年12期

5 劉學(xué)勤;董安平;;硅的深度反應(yīng)離子刻蝕切割可行性研究[J];電子與封裝;2016年09期

6 李曉東;邵世強;;磁控濺射法制備氮化硅薄膜的耐磨性研究[J];玻璃;2015年12期

7 王守坤;袁劍峰;郭總杰;郭會斌;劉杰;鄭云友;，

本文編號：2259743