【摘要】：采用SMIC 0.13μm RF CMOS工藝,設計了一款新型的雙頻段可變增益低噪聲放大器(DBVG-LNA),應用于GSM900/DCS1800雙頻網(wǎng)絡通訊系統(tǒng)中.分別采用多諧振網(wǎng)絡和開關諧振網(wǎng)絡完成輸入輸出雙頻段阻抗匹配,采用共柵旁路管和開關切換電阻完成4擋可調(diào)增益,有效地解決變頻段和變增益兼容難的問題.另外,采用共源共柵差分對結(jié)構獲取高隔離度和低二次諧波失真.1.2V電源電壓,版圖面積為0.43μm×0.65μm.仿真結(jié)果表明,在GSM900頻段電壓增益20.6~12.7dB 4擋可調(diào),NF:1.45~2.05dB;在DCS1800頻段電壓增益19.3~11.2dB 4擋可調(diào),NF:1.36~2.55dB;S_(11)均小于-17dB.
[Abstract]:A novel dual-band variable gain low-noise amplifier (DBVG-LNA) is designed by using SMIC 0.13 渭 m RF CMOS process, which is applied to the GSM900/DCS1800 dual-frequency network communication system. The multi-resonance network and the switching resonant network are used to complete the impedance matching in the input and output bands respectively. The four shift adjustable gain is achieved by using the common-gate bypass tube and the switching resistor. The problem of the compatibility between the variable gain and the variable gain is effectively solved. In addition, the power supply voltage of high isolation and low second harmonic distortion of 1.2V is obtained by using the common source common-grid differential. The layout area is 0.43 渭 m 脳 0.65 渭 m. The simulation results show that the voltage gain 20.6~12.7dB _ 4 can be adjusted in the GSM900 band and the voltage gain 19.3~11.2dB _ 4 in the DCS1800 band is less than -17 dB.
【作者單位】： 湖南大學物理與微電子科學學院;
【基金】：湖南省科技計劃項目(2014FJ1003) The Planned Science and Technology Project of Hunan Province(2014FJ1003)
【分類號】：TN722.3

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