【摘要】：SiC表面重構(gòu)的發(fā)生會(huì)引起表面態(tài)密度增加,極大地影響SiC功率器件的性能。本文對(duì)4H/6H-SiC(0001)-Si端的(3~(1/2)×3~(1/2))R30°和(3×3)重構(gòu)結(jié)構(gòu)及3C-SiC(0001)-Si端的(3×2)和(2×1)重構(gòu)結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行了S原子的吸附研究。結(jié)果表明:吸附S原子可以打開表面重構(gòu)鍵,不同重構(gòu)結(jié)構(gòu)均有向體結(jié)構(gòu)恢復(fù)的趨勢(shì)。(3~(1/2)×3~(1/2))R30°和(3×3)重構(gòu)的最佳吸附率分別是1/2ML和1/3ML,S吸附對(duì)(3~(1/2)×3~(1/2))R30°重構(gòu)的作用更大。(3×2)重構(gòu)表面在1/6ML下的H3位吸附、(2×1)重構(gòu)表面在1/2ML下的B位吸附時(shí)吸附能最低。S鈍化后,3C-SiC比4H/6H-SiC體系表面吸附能小,更穩(wěn)定,重構(gòu)結(jié)構(gòu)恢復(fù)更理想。
[Abstract]:The occurrence of SiC surface reconstruction will increase the density of states on the surface and greatly affect the performance of SiC power devices. In this paper, the (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R30 擄and (3 脳 3) reconstructed structures of 4H/6H-SiC (0001) -Si and (3 脳 2) and (2 脳 1) reconstructed structures of 3C-SiC (0001) -Si are investigated by the adsorption of S atoms, respectively. The results show that the adsorbed S atom can open the surface reconstruction bond. The best adsorption rates of (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R ~ (30 擄) and (3 脳 3) R ~ (3) reconstruction are that the adsorption of (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R ~ (30) 擄) on (3 脳 2) reconstructed surface is stronger than that on (3 ~ (1) 脳 3 ~ (1) 脳 3 ~ (1) R _ (30) 擄. (3 脳 2) the reconstructed surface adsorbs at H _ 3 under 1/6ML, and (2 脳 1) at B site at 1/2ML. The adsorption energy of 3C-SiC on the surface of 4H/6H-SiC system is lower than that on the surface of 4H/6H-SiC system. More stable, the reconstruction structure restoration is more ideal.
【作者單位】： 西安理工大學(xué)電子工程系;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(51207128,51677149) 特色研究項(xiàng)目(2016TS021)
【分類號(hào)】：TN304.24

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級(jí)參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2254853