發(fā)布時(shí)間：2018-10-05 21:01

【摘要】：SiC表面重構(gòu)的發(fā)生會引起表面態(tài)密度增加,極大地影響SiC功率器件的性能。本文對4H/6H-SiC(0001)-Si端的(3~(1/2)×3~(1/2))R30°和(3×3)重構(gòu)結(jié)構(gòu)及3C-SiC(0001)-Si端的(3×2)和(2×1)重構(gòu)結(jié)構(gòu)分別進(jìn)行了S原子的吸附研究。結(jié)果表明:吸附S原子可以打開表面重構(gòu)鍵,不同重構(gòu)結(jié)構(gòu)均有向體結(jié)構(gòu)恢復(fù)的趨勢。(3~(1/2)×3~(1/2))R30°和(3×3)重構(gòu)的最佳吸附率分別是1/2ML和1/3ML,S吸附對(3~(1/2)×3~(1/2))R30°重構(gòu)的作用更大。(3×2)重構(gòu)表面在1/6ML下的H3位吸附、(2×1)重構(gòu)表面在1/2ML下的B位吸附時(shí)吸附能最低。S鈍化后,3C-SiC比4H/6H-SiC體系表面吸附能小,更穩(wěn)定,重構(gòu)結(jié)構(gòu)恢復(fù)更理想。
[Abstract]:The occurrence of SiC surface reconstruction will increase the density of states on the surface and greatly affect the performance of SiC power devices. In this paper, the (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R30 擄and (3 脳 3) reconstructed structures of 4H/6H-SiC (0001) -Si and (3 脳 2) and (2 脳 1) reconstructed structures of 3C-SiC (0001) -Si are investigated by the adsorption of S atoms, respectively. The results show that the adsorbed S atom can open the surface reconstruction bond. The best adsorption rates of (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R ~ (30 擄) and (3 脳 3) R ~ (3) reconstruction are that the adsorption of (3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) 脳 3 ~ (1 / 2) R ~ (30) 擄) on (3 脳 2) reconstructed surface is stronger than that on (3 ~ (1) 脳 3 ~ (1) 脳 3 ~ (1) R _ (30) 擄. (3 脳 2) the reconstructed surface adsorbs at H _ 3 under 1/6ML, and (2 脳 1) at B site at 1/2ML. The adsorption energy of 3C-SiC on the surface of 4H/6H-SiC system is lower than that on the surface of 4H/6H-SiC system. More stable, the reconstruction structure restoration is more ideal.
【作者單位】： 西安理工大學(xué)電子工程系;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(51207128,51677149) 特色研究項(xiàng)目(2016TS021)
【分類號】：TN304.24

【參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前4條

1 陳進(jìn);楊鶯;邢青青;張力;晁苗苗;穆美珊;;6H-SiC硅面S鈍化工藝研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2015年11期

2 文黎巍;周俊敏;苗掛帥;賈瑜;楊仕娥;;SiH_4在Si(001)-(2×1)表面吸附的第一性原理研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2010年02期

3 戴佳鈺;張棟文;袁建民;;Xe原子吸附對GaAs(110)表面重構(gòu)的影響[J];物理學(xué)報(bào);2006年11期

4 徐彭壽,李擁華,潘海斌;β-SiC(001)-(2×1)表面結(jié)構(gòu)的第一性原理研究[J];物理學(xué)報(bào);2005年12期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 李云;3C-SiC（111）和6H-SiC（0001）表面再構(gòu)的原子結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)的理論研究[D];復(fù)旦大學(xué);2006年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前2條

1 吉璐;6H-SiC-（0001）表面Graphene成核的第一原理研究[D];湘潭大學(xué);2010年

2 劉福;SiC（001）表面重構(gòu)與多型體的第一性原理研究[D];中南大學(xué);2009年

【共引文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前7條

1 晁苗苗;楊鶯;;S吸附對SiC表面不同重構(gòu)結(jié)構(gòu)的影響[J];人工晶體學(xué)報(bào);2017年07期

2 程萍;李永平;屈衛(wèi)清;;β-SiC(001)晶面小分子吸附的第一性原理研究[J];兵器材料科學(xué)與工程;2017年03期

3 陸順其;王茺;靳映霞;卜瓊瓊;楊宇;;Ge在Si(100)-2×1表面化學(xué)吸附的第一性原理研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2012年04期

4 杜玉杰;常本康;張俊舉;李飆;王曉暉;;GaN(0001)表面電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的第一性原理研究[J];物理學(xué)報(bào);2012年06期

5 盧碩;張躍;尚家香;;Si_2CN_4(010)表面特性的第一性原理研究[J];物理學(xué)報(bào);2011年02期

6 周勛;楊再榮;羅子江;賀業(yè)全;何浩;韋俊;鄧朝勇;丁召;;反射式高能電子衍射實(shí)時(shí)監(jiān)控的分子束外延生長GaAs晶體襯底溫度校準(zhǔn)及表面相變的研究[J];物理學(xué)報(bào);2011年01期

7 李曉霞;李迎春;孫美玉;楊傳路;;Si(001)-2×1重構(gòu)表面吸附鋰原子的第一性原理研究[J];魯東大學(xué)學(xué)報(bào)(自然科學(xué)版);2009年01期

【二級參考文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前6條

1 李峰;楊鶯;李碧珊;陳進(jìn);邢青青;侯志斌;;Si(100)表面S鈍化效果與穩(wěn)定性研究[J];人工晶體學(xué)報(bào);2014年07期

2 李擁華,徐彭壽,潘海濱,徐法強(qiáng),謝長坤;GaN(100)表面結(jié)構(gòu)的第一性原理計(jì)算[J];物理學(xué)報(bào);2005年01期

3 李擁華,徐彭壽,潘海濱,徐法強(qiáng);GaN(110)表面原子及電子結(jié)構(gòu)的第一性原理研究[J];中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)學(xué)報(bào);2004年05期

4 于洋,徐力方,顧長志;氫吸附金剛石(001)表面的第一性原理研究[J];物理學(xué)報(bào);2004年08期

5 李波,鮑世寧,莊友誼,曹培林;乙烯在Ni(110)表面吸附的幾何結(jié)構(gòu)[J];物理學(xué)報(bào);2003年01期

6 謝長坤,徐法強(qiáng),鄧銳,徐彭壽,劉鳳琴,K.Yibulaxin;GaN(0001)表面的電子結(jié)構(gòu)研究[J];物理學(xué)報(bào);2002年11期

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前2條

1 羅子江;周勛;王繼紅;郭祥;丁召;;GaAs(001)表面重構(gòu)[J];材料導(dǎo)報(bào);2014年09期

2 高巧君;鄭天佐;;Pt、Ir表面重構(gòu)的研究[J];電子顯微學(xué)報(bào);1988年03期

，

本文編號：2254853