發(fā)布時間：2018-10-05 07:42

【摘要】：在匹配層結(jié)構(gòu)壓電換能器的基礎上,通過對兆聲壓電振子的振動模式進行控制,在橫向尺度上實現(xiàn)了兆聲拋光工具頭振動振幅的均勻化,進而開展了有/無兆聲作用下硅片的化學機械拋光實驗.拋光后,無兆聲作用硅片的表面粗糙度Ra均值達到0.072μm,兆聲作用硅片的表面粗糙度Ra均值達到0.020μm.測量了被拋光硅片的平面度,相對于無兆聲作用硅片的平面度的PV值28μm,兆聲作用硅片PV值顯著下降,為21μm.可見,相對于傳統(tǒng)化學機械拋光,兆聲化學機械復合拋光能夠有效地改善原有拋光工藝,提高硅片拋光表面質(zhì)量,實現(xiàn)其拋光均勻性.
[Abstract]:On the basis of matching layer structure piezoelectric transducer, by controlling the vibration mode of the megaphone piezoelectric vibrator, the vibration amplitude of the ultrasonic polishing tool head is homogenized on the transverse scale. The experiments of chemical mechanical polishing of silicon wafers with / without precursor sound were carried out. After polishing, the average surface roughness (Ra) of the wafer is 0.072 渭 m, and the Ra mean value of the surface roughness of the wafer is 0.020 渭 m. The planeness of the polished wafer was measured. The PV value of the wafer was 28 渭 m relative to the planeness of the wafer with no precursory action, and the PV value of the wafer subjected to the megoacoustic action was significantly decreased to 21 渭 m. It can be seen that compared with the traditional chemical mechanical polishing, the composite polishing process can effectively improve the original polishing process, improve the surface quality of silicon wafer polishing, and achieve the uniformity of polishing.
【作者單位】： 遼寧工業(yè)大學振動工程研究所;遼寧工業(yè)大學理學院;
【基金】：遼寧省科學技術計劃資助項目(2015020159) 遼寧省教育廳高�；�本科研業(yè)務費資助項目(JL201615408)
【分類號】：TN304.12

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 蒙義伯;;直觀式儲存管顯示畫面均勻性的兩點改進[J];電子管技術;1983年06期

2 劉永全;趙純經(jīng);;改善彩色管涂屏均勻性及提高亮度小結(jié)[J];電子管技術;1977年Z1期

3 吳軍輝,王濤,劉義和,張文攀;紅外圖像的非均勻性及其仿真[J];紅外技術;2003年05期

4 蘇德倫;張金生;廖守億;;電阻陣列非均勻性測試[J];紅外技術;2010年06期

5 侯秀榮;王進友;;解決膜不勻提高顯象管亮度的均勻性[J];真空電子技術;1988年01期

6 John Melonas ,Don Ball ,趙德耀;改善細線的均勻性(Ⅱ)[J];印制電路信息;1995年08期

7 董珍時,劉小波;紅外焦平面探測器非均勻性的簡化數(shù)學模型[J];激光與紅外;2003年03期

8 杜曉晴,杜玉杰,常本康,宗志園;三代微光管均勻性測試與分析[J];真空科學與技術;2003年04期

9 雍慧君;張利華;;電鍍均勻性影響因素探究及改善[J];印制電路信息;2012年S1期

10 楊春偉;廖守億;蘇德倫;張金生;王仕成;;電阻陣列非均勻性測試與校正[J];紅外技術;2013年06期

相關會議論文 前10條

1 余水文;;淺談堿性蝕刻的蝕刻均勻性及其對策[A];第七屆全國印制電路學術年會論文集[C];2004年

2 黃戰(zhàn)華;曹永超;;紅外圖像實時非均勻性校正系統(tǒng)設計[A];光電技術與系統(tǒng)文選——中國光學學會光電技術專業(yè)委員會成立二十周年暨第十一屆全國光電技術與系統(tǒng)學術會議論文集[C];2005年

3 蘇德倫;廖守億;張金生;朱巖;王仕成;王旌;吳永剛;;電阻陣列非均勻性校正[A];2009年先進光學技術及其應用研討會論文集（上冊）[C];2009年

4 李旭;楊虎;;基于兩點的紅外圖像非均勻性校正算法應用[A];第二屆紅外成像系統(tǒng)仿真測試與評價技術研討會論文集[C];2008年

5 湯新;王鳳賀;;非均勻性處理算法[A];第二屆紅外成像系統(tǒng)仿真測試與評價技術研討會論文集[C];2008年

6 金明磊;金偉其;劉崇亮;范永杰;;用于紅外焦平面陣列非均勻性校正的輻射參考源[A];中國光學學會2011年學術大會摘要集[C];2011年

7 李琪;郭曉東;;熱源非均勻性與輻射場非單一性的應用[A];第九屆全國紅外加熱暨紅外醫(yī)學發(fā)展研討會論文及論文摘要集[C];2003年

8 鞠紅娥;;紅外成像系統(tǒng)非均勻性校正方法的研究[A];2007年紅外探測器及其在系統(tǒng)中的應用學術交流會論文集[C];2007年

9 陳博洋;聞路紅;俞建成;;紅外掃描儀中基于場景的非均勻性校正[A];第二屆紅外成像系統(tǒng)仿真測試與評價技術研討會論文集[C];2008年

10 李哲洋;李峗;董遜;柏松;陳剛;陳辰;;水平熱壁式CVD SiC外延均勻性研究[A];第十五屆全國化合物半導體材料，微波器件和光電器件學術會議論文集[C];2008年

相關重要報紙文章 前1條

1 通訊員 劉靜;我市又一國際合作項目順利通過科技部驗收[N];廊坊日報;2012年

相關博士學位論文 前10條

1 樊凡;基于場景的紅外非均勻性校正算法研究[D];華中科技大學;2015年

2 王彩玲;300mm硅片化學機械拋光設備及其關鍵技術研究[D];大連理工大學;2010年

3 李慶;基于成像制導狀態(tài)的自適應IRFPA非均勻性校正技術研究[D];西安電子科技大學;2006年

4 劉敬遠;硅片化學機械拋光加工區(qū)域中拋光液動壓和溫度研究[D];大連理工大學;2009年

5 曾旭;新型銅互連擴散阻擋層釕、釕鉭合金、鉬基薄膜的化學機械拋光性能研究[D];復旦大學;2013年

6 徐馳;基于摩擦力在線測量的化學機械拋光終點檢測技術研究[D];大連理工大學;2011年

7 馮春陽;納米集成電路化學機械拋光工藝建模與仿真及可制造性設計技術研究[D];復旦大學;2010年

8 魯海生;新型銅互連阻擋層Co/TaN的化學機械拋光研究[D];復旦大學;2013年

9 蘇建修;IC制造中硅片化學機械拋光材料去除機理研究[D];大連理工大學;2006年

10 王永光;基于分子量級的化學機械拋光材料去除機理的理論和試驗研究[D];江南大學;2008年

相關碩士學位論文 前10條

1 陸平;基于場景的紅外焦平面非均勻性校正系統(tǒng)研究[D];南京理工大學;2016年

2 溫志剛;紅外成像非均勻性校正算法及其FPGA實現(xiàn)研究[D];西安電子科技大學;2015年

3 姬皓婷;紅外圖像非均勻性參數(shù)測試與校正系統(tǒng)研究[D];南京理工大學;2004年

4 謝忠敏;基于場景的紅外焦平面陣列非均勻性校正研究[D];西華大學;2008年

5 廖振興;激光薄膜光學常數(shù)和膜厚均勻性的研究[D];華中科技大學;2005年

6 鄭瑞紅;基于場景的紅外圖像非均勻性校正[D];南京理工大學;2004年

7 于春娜;電阻陣列非均勻性自適應校正技術研究[D];哈爾濱工業(yè)大學;2012年

8 李曉陽;基于智能計算的紅外圖像非均勻性校正方法研究[D];電子科技大學;2013年

9 龔曼曼;基于場景的非均勻性校正[D];南京理工大學;2012年

10 丁召潔;基于場景運動分析的紅外焦平面陣列的非均勻性校正研究[D];西華大學;2008年

，

本文編號：2252565