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16nm FinFET工藝信號(hào)EM問(wèn)題的分析和解決

發(fā)布時(shí)間:2018-09-19 10:31
【摘要】:信號(hào)電遷移的問(wèn)題在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)越來(lái)越受到重視。通過(guò)一個(gè)基于16 nm TSMC工藝的SoC芯片,分析了Innovus和Voltus兩個(gè)工具在信號(hào)電遷移分析結(jié)果的差異。通過(guò)對(duì)成因的分析,解決了Innovus存在的問(wèn)題,使得絕大多數(shù)信號(hào)電遷移問(wèn)題在布局布線(xiàn)階段得到解決,大大縮短了后端設(shè)計(jì)收斂時(shí)間。
[Abstract]:The problem of signal electromigration has been paid more and more attention in advanced process nodes. Through a SoC chip based on 16 nm TSMC process, the difference between Innovus and Voltus in signal electromigration analysis is analyzed. Through the analysis of the cause of formation, the problem of Innovus is solved, and most of the signal electromigration problems are solved in the layout and wiring stage, and the convergence time of the back-end design is shortened greatly.
【作者單位】: 英偉達(dá)半導(dǎo)體科技(上海)有限公司北京分公司;
【分類(lèi)號(hào)】:TN386

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本文編號(hào):2249880

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