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電源芯片LDO器件的單粒子效應(yīng)研究

發(fā)布時(shí)間:2024-06-12 05:47
  隨著航天科技的迅速發(fā)展,集成電路的集成度越來越高,各種電子元器件被廣泛應(yīng)用于航天器上。復(fù)雜的空間輻射環(huán)境將給電子元器件及其電路帶來及其嚴(yán)峻的輻射安全問題。人們?yōu)榱吮阌谘芯靠臻g輻射效應(yīng),將空間輻射環(huán)境分為輻射帶,宇宙射線,太陽風(fēng)和太陽耀斑。正是這些不同來源的輻射粒子,主要有電子,質(zhì)子和重離子極易對(duì)航空航天等航天器上的電子元器件及電路產(chǎn)生極為嚴(yán)重的輻射安全問題。研究半導(dǎo)體器件及其電路的空間輻射效應(yīng),提高其抗輻射水平是近年來國內(nèi)外微電子學(xué)十分重視的課題。低壓差線性穩(wěn)壓器(Low Dropout Regulator,LDO)作為重要的半導(dǎo)體器件被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星和飛船等具有空間輻射的領(lǐng)域。其作為各種電子設(shè)備中的重要組成部分之一,其性能的優(yōu)劣直接關(guān)系到整個(gè)電子設(shè)備的技術(shù)指標(biāo)和能否可靠性地工作,一旦在空間輻射環(huán)境下出現(xiàn)失效,將會(huì)給整個(gè)飛船和衛(wèi)星等航天器帶來十分嚴(yán)重的故障,造成極大的經(jīng)濟(jì)損失。因此對(duì)電源芯片空間輻射效應(yīng)進(jìn)行深入研究顯得尤為重要。從輻射損傷機(jī)理來看,輻射對(duì)半導(dǎo)體材料作用的兩個(gè)基本效應(yīng)為電離損傷效應(yīng)和位移損傷效應(yīng)。在微觀上,電離損傷效應(yīng)主要是輻照粒子與靶原子中的電子相互作用,把自身的能量傳...

【文章頁數(shù)】:56 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-1范艾倫輻射帶示意圖

圖1-1范艾倫輻射帶示意圖

銀河宇宙射線質(zhì)子和離子1keV-500MeV1.2.1范爾倫帶輻射帶是地球磁場(chǎng)捕獲外層空間的帶電粒子而形成的,其示意圖如圖1-1。主要包含俘獲電子和質(zhì)子。俘獲電子分為內(nèi)帶電子和外帶電子。內(nèi)帶電子的能量小于5MeV。外帶電子的能量高達(dá)7MeV。原輻射帶內(nèi)帶和外帶之間存....


圖1-2輻射源與器件輻射效應(yīng)的對(duì)應(yīng)關(guān)系

圖1-2輻射源與器件輻射效應(yīng)的對(duì)應(yīng)關(guān)系

圖1-2輻射源與器件輻射效應(yīng)的對(duì)應(yīng)關(guān)系ig.1-2Correspondingrelationshipbetweenradiationsourceandradiationeffectofde量效應(yīng)環(huán)境中遇到的總劑量效應(yīng)幾乎都?xì)w因于輻射帶的俘獲電子和太陽耀是....


圖2-1HI-13實(shí)驗(yàn)裝置圖

圖2-1HI-13實(shí)驗(yàn)裝置圖

圖2-1HI-13實(shí)驗(yàn)裝置圖Fig.2-1HI-13experimentaldevicediagram負(fù)離子注入器:用來產(chǎn)生可變能量的束流,主要由負(fù)離子源,預(yù)加速空系統(tǒng)等組成。高壓發(fā)生器:位于脈沖系統(tǒng)后端,鋼桶結(jié)構(gòu),用以盛放絕緣氣體。加速管:位于高壓發(fā)生器的后端,....


圖2-2LDO的基本原理圖

圖2-2LDO的基本原理圖

低壓差電壓調(diào)整器(LowDropoutRegulator,LDO),是新一代的集成電路穩(wěn)壓器是線性集成集成電路的重要分支,它在電子設(shè)備小型化和輕量化發(fā)展中受到極大。制作工藝在近些年取得了迅速發(fā)展。它的產(chǎn)品已由過去的混合式集成穩(wěn)壓器發(fā)單片式集成穩(wěn)壓器,即把構(gòu)成穩(wěn)壓器的調(diào)整晶體....



本文編號(hào):3993314

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