發(fā)布時(shí)間：2024-11-02 13:21

　　 采用原位共生長化學(xué)氣相沉積法,以Co3O4、Mo O₃、Se粉末為前驅(qū)物, 710℃下在SiO₂襯底上生長摻鈷MoSe₂納米薄片,分析討論氫氣含量對(duì)其生長及調(diào)節(jié)機(jī)理的影響.表面形貌分析表明,氫氣的引入促進(jìn)了成核所需的氧硒金屬化合物以及橫向生長中需要的Co Mo Se化合物分子的生成;AFM（AtomicForce Microscope）結(jié)果表明氫氣有利于生長單層二維超薄摻鈷MoSe₂.隨著Co3O4前驅(qū)物用量的增加,樣品的拉曼和PL（Photoluminescence）譜圖分別表現(xiàn)出紅移和藍(lán)移現(xiàn)象,帶隙實(shí)現(xiàn)從1.52—1.57 e V的調(diào)制. XPS （X-ray photoelectron spectroscopy）結(jié)果分析得到Co的元素組分比為4.4%.通過SQUID-VSM （Superconducting QUantum Interference Device）和器件電學(xué)測(cè)試分析了樣品的磁電特性,結(jié)果表明Co摻入后Mo Se2由抗磁性變?yōu)檐洿判?背柵FETs器件的閾值電壓比純Mo Se2向正...

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