太赫茲波處于電子學(xué)向光子學(xué)的過渡區(qū)域,具有多種獨(dú)特的性能,能夠廣泛應(yīng)用于太赫茲成像、通信、物質(zhì)檢測(cè)等領(lǐng)域。但是,由于太赫茲發(fā)射和探測(cè)技術(shù)進(jìn)展相對(duì)落后,限制了太赫茲技術(shù)的發(fā)展和應(yīng)用。Salisbury屏吸波器是一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、制作容易的吸波器結(jié)構(gòu),能夠在特定頻段實(shí)現(xiàn)近完美吸收。因此,探索研究Salisbury屏太赫茲吸波器,有利于促進(jìn)太赫茲技術(shù)的發(fā)展。本文主要設(shè)計(jì)并制作了基于有機(jī)太赫茲吸收材料的一種新型柔性Salisbury屏吸波器,探究其吸波原理及太赫茲響應(yīng)規(guī)律,主要研究?jī)?nèi)容如下:(1)采用化學(xué)合成方法,合成了有機(jī)材料4-(4-二甲基氨基苯乙烯基)甲基吡啶對(duì)甲基苯磺酸鹽(DAST),并對(duì)產(chǎn)物進(jìn)行了提純與表征�；贚orentz模型,研究了在0-10 THz范圍內(nèi)DAST單晶沿a軸和b軸方向的介電常數(shù)。并且,基于此模型,通過Matlab軟件計(jì)算得到了在0-10 THz范圍內(nèi)DAST單晶沿a軸和b軸方向的折射率、消光系數(shù)和交流電導(dǎo)率。(2)首次提出將有機(jī)非線性光學(xué)材料DAST制作新型的Salisbury屏吸波器的電阻層。通過傳輸矩陣法、傳輸線模型和多次反射理論,研究了基于DAST單晶的Sali...

【文章頁(yè)數(shù)】：70 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

第一章緒論1.1太赫茲波概述1.1.1太赫茲波的特性太赫茲（terahertz，簡(jiǎn)稱THz）波是指頻率位于0.110THz（1THz=1012Hz）范圍內(nèi)的電磁波，其波長(zhǎng)范圍在30.03mm，對(duì)應(yīng)的光子能量則介于微波與紅外之間[1]。太赫茲波在電磁波譜....

并以設(shè)計(jì)者的名字命名。典型的SSA的結(jié)構(gòu)如圖1-2(b)所示，它是在金屬層上依次放置一層厚度為d4n的介質(zhì)層和一層金屬薄片層。底層金屬作為反射層，中間介質(zhì)層作用類似于Fabry-Perot腔，表層薄片層起阻抗匹配的作用。基于諧振原理，在中心頻率0f處產(chǎn)生最大吸....

圖2-1SSA的基本結(jié)構(gòu)波器的吸波理論ransfermatrixmethod，簡(jiǎn)稱TMM）將材料的光它的傳輸矩陣（或ABCD矩陣）。當(dāng)多層介質(zhì)體的傳輸矩陣是各層介質(zhì)材料傳輸矩陣的乘積。流傳輸矩陣（ABCD矩陣）模型。對(duì)于單層介質(zhì)電流，即EVt和HIt-....

圖2-1SSA的基本結(jié)構(gòu)器的吸波理論sfermatrixmethod，簡(jiǎn)稱TMM）將的傳輸矩陣（或ABCD矩陣）。當(dāng)?shù)膫鬏斁仃囀歉鲗咏橘|(zhì)材料傳輸矩輸矩陣（ABCD矩陣）模型。對(duì)于流，即EVt和HIt-z。此時(shí)....

本文編號(hào)：4011408