發(fā)布時(shí)間：2024-10-05 10:08

　　眾多薄膜太陽(yáng)能電池中,Ga As和Cu（In,Ga）Se₂（CIGS）已實(shí)現(xiàn)商業(yè)化,其光電轉(zhuǎn)換效率分別高達(dá)29.1%和23.35%。但Ga和In的稀缺以及As化合物的毒性限制了兩者大規(guī)模的生產(chǎn)和應(yīng)用。因此,尋找清潔無(wú)污染、光電效率高的半導(dǎo)體材料迫在眉睫。Cu₂Zn Sn（S,Se）₄（CZTSSe）的晶體結(jié)構(gòu)與CIGS相似,是直接帶隙半導(dǎo)體材料,其組成元素?zé)o毒且儲(chǔ)量豐富、光吸收系數(shù)高達(dá)10～4 cm^-1、禁帶寬度在1.0～1.5 e V內(nèi)連續(xù)可調(diào)、理論轉(zhuǎn)換效率高,這些特點(diǎn)使其成為極具發(fā)展?jié)摿Φ奈�收層材料之一。目�?CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池的實(shí)驗(yàn)室最高光電效率僅有12.62%,與其理論轉(zhuǎn)換效率（32.2%）存在較大差距,制約器件效率提升的主要原因在于CZTSSe電池器件中存在嚴(yán)重的開(kāi)路電壓損耗。CZTSSe吸收層是電池器件的核心組成部分,其薄膜的質(zhì)量、成分和內(nèi)部缺陷等都影響器件的開(kāi)路電壓,最終影響電池的光電轉(zhuǎn)換效率。CZTSSe材料的元素種類(lèi)繁多且其相穩(wěn)定區(qū)域較窄,因此在薄膜制備過(guò)程中極易產(chǎn)生次生相和...

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 太陽(yáng)能電池的研究背景及簡(jiǎn)述
        1.1.1 太陽(yáng)能電池的研究背景
        1.1.2 太陽(yáng)能電池的基本工作原理
        1.1.3 太陽(yáng)能電池的分類(lèi)
    1.2 CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池
        1.2.1 CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池的形成
        1.2.2 CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池的結(jié)構(gòu)
        1.2.3 CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)展及現(xiàn)狀
    1.3 磁控濺射法制備CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池
        1.3.1 磁控濺射法的基本工作原理
        1.3.2 磁控濺射法制備CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池的研究現(xiàn)狀
    1.4 CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池的吸收層硒化方式
        1.4.1 CZTSSe吸收層的成相和缺陷
        1.4.2 CZTSSe吸收層硒化方式的研究現(xiàn)狀
    1.5 目前存在的主要問(wèn)題及研究思路
    1.6 論文的研究?jī)?nèi)容及意義
第二章 基于四元單靶磁控濺射的CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池
    2.1 引言
    2.2 實(shí)驗(yàn)部分
        2.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑和儀器
        2.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    2.3 結(jié)果與討論
        2.3.1 CZTS預(yù)制層的基本形貌與結(jié)構(gòu)
        2.3.2 無(wú)硒/有硒氛圍對(duì)吸收層薄膜性能的影響
        2.3.3 不同濺射功率對(duì)CZTSSe薄膜性能的影響
        2.3.4 不同硒用量對(duì)CZTSSe薄膜性能的影響
    2.4 本章小結(jié)
第三章 原位供硒后硒化法對(duì)CZTSSe薄膜的影響
    3.1 引言
    3.2 實(shí)驗(yàn)部分
        3.2.1 實(shí)驗(yàn)試劑和儀器
        3.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    3.3 結(jié)果與討論
        3.3.1 堆疊的前驅(qū)體層和吸收層形貌的研究
        3.3.2 不同厚度的Se對(duì) CZTSSe薄膜性能的影響
        3.3.3 不同退火溫度對(duì)CZTSSe薄膜性能的影響
    3.4 本章小結(jié)
第四章 高溫裂解硒對(duì)CZTSSe薄膜太陽(yáng)能電池性能的影響
    4.1 引言
    4.2 實(shí)驗(yàn)部分
        4.2.1 實(shí)驗(yàn)儀器及試劑
        4.2.2 實(shí)驗(yàn)過(guò)程
    4.3 結(jié)果與討論
        4.3.1 硒源的裂解溫度對(duì)CZTSSe薄膜性能的影響
        4.3.2 硒源加熱速率對(duì)CZTSSe薄膜性能的影響
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 總結(jié)
    5.2 存在的問(wèn)題與展望
參考文獻(xiàn)
碩士期間發(fā)表的論文與工作
致謝



本文編號(hào)：4007840