過渡金屬硫化物(TMDCs)的層狀結(jié)構(gòu)與石墨類似,屬于層狀材料,其層間依靠較弱的范德華力結(jié)合,層內(nèi)則通過共價(jià)鍵結(jié)合,所以通過微機(jī)械剝離法可以獲得單分子層TMDC薄膜。對(duì)于典型的TMDC材料(如WSe₂),當(dāng)其層數(shù)減少至單分子層時(shí),其能帶結(jié)構(gòu)會(huì)從原本的間接帶隙轉(zhuǎn)變?yōu)橹苯訋?并出現(xiàn)谷選擇性和自旋-谷耦合等特性,這使得TMDC材料成為研究光電子、光偏振和谷電子學(xué)的熱門材料。另一方面,由于WSe₂薄膜良好的物理性質(zhì),通過改變WSe₂少層或單層的表面形貌特征實(shí)現(xiàn)其光學(xué)性質(zhì)的調(diào)控也是一個(gè)熱門的研究方向。然而,兩者的交叉方向,相關(guān)工作目前還鮮有報(bào)導(dǎo)。將薄膜塑形與谷電子學(xué)、光學(xué)偏振等特性關(guān)聯(lián)起來,研究表面形貌對(duì)單層或少層薄膜激子態(tài)、發(fā)光偏振等性質(zhì)的影響是一個(gè)極具意義和挑戰(zhàn)的新興研究領(lǐng)域。結(jié)合上述研究背景,本論文開展了對(duì)WSe₂單分子薄膜表面形貌及其光致發(fā)光性質(zhì)的研究工作。本論文利用微機(jī)械剝離法制備了單層WSe₂,通過干法轉(zhuǎn)移分別將單層樣品覆蓋在Bi₂Se₃

【文章頁數(shù)】：55 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 二維層狀材料簡介
    1.2 二維層狀材料的制備方法
    1.3 二維層狀材料薄層光學(xué)性質(zhì)的調(diào)控
    1.4 二維材料的表征手段
    1.5 本課題的主要研究內(nèi)容
第二章 室溫下單層WSe₂的形貌和光致發(fā)光光譜研究
    2.1 室溫下單層WSe₂的形貌調(diào)控研究現(xiàn)狀
    2.2 樣品的制備、形貌和光譜的測量及分析
        2.2.1 單層WSe₂、WS2體材料及Bi2Se3體材料的制備及轉(zhuǎn)移
        2.2.2 WSe₂單層/Bi2Se3樣品的AFM表征和光致發(fā)光光譜的測量及數(shù)據(jù)分析
        2.2.3 WSe₂單層/WS2樣品的AFM表征和光致發(fā)光光譜的測量及數(shù)據(jù)分析
    2.3 本章小結(jié)
第三章 低溫下單層WSe₂形貌和光致發(fā)光特性的研究
    3.1 低溫下單層WSe₂的形貌對(duì)光致發(fā)光性質(zhì)的調(diào)控研究現(xiàn)狀
    3.2 樣品的形貌與發(fā)光性質(zhì)的研究
        3.2.1 低溫下樣品光致發(fā)光性質(zhì)的研究
        3.2.2 發(fā)光線偏振方向與樣品表面形貌的關(guān)聯(lián)研究
        3.2.3 光致發(fā)光信號(hào)隨溫度的變化情況
        3.2.4 不同襯底對(duì)樣品光致發(fā)光信號(hào)的影響
        3.2.5 應(yīng)變束縛激子峰在TMDC族不同材料中的拓展性研究
    3.3 本章小結(jié)
第四章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
學(xué)期間所取得的科研成果
致謝



本文編號(hào)：3979130