發(fā)布時間：2017-12-31 03:39

  本文關鍵詞：基于CVD方法生長在硅基底上立方碳化硅的拉曼散射研究（英文）　出處：《光散射學報》2016年02期 　論文類型：期刊論文

  更多相關文章： C碳化硅 光譜橢偏儀 拉曼散射 厚度

【摘要】：立方碳化硅(3C-SiC)薄膜通過化學氣相沉積(CVD)制備在Si(100)襯底上。本論文主要通過橢偏光譜儀(SE)和拉曼散射儀對3C-SiC薄膜的微觀結(jié)構(gòu)和光學性能進行進一步的研究。根據(jù)SE的分析獲得3CSiC薄膜厚度;根據(jù)拉曼散射的分析:可從TO模式和LO模式的線形形狀的擬合得到樣品的相關長度和載流子濃度。結(jié)果表明:該碳化硅(3C-SiC)薄膜質(zhì)量隨膜厚度增加而得到提高,同時分析了外延層厚度對薄膜特性的影響。
[Abstract]:Cubic silicon carbide 3C-SiC thin films were prepared on Si-100 substrates by chemical vapor deposition (CVD). The microstructure and optical properties of 3C-SiC thin films were further studied by Raman scattering. The thickness of 3C-SiC films was obtained by SE analysis. According to Raman scattering analysis, the correlation length and carrier concentration of the sample can be obtained from the fitting of the linear shapes of to and Lo modes. The film quality increases with the increase of film thickness. At the same time, the influence of the thickness of the epitaxial layer on the characteristics of the film is analyzed.
【作者單位】： 物理科學與工程技術學院廣西相對論天體物理重點實驗室光電子材料與探測技術實驗室廣西大學;華南師范大學光電子材料與技術研究所;中山大學光電材料與技術國家重點實驗室物理科學與工程技術學院;Department
【基金】：中山大學光電材料與技術國家重點實驗室開放課題和國家自然科學基金(11474365,61377055,61176085) 廣西相對論天體物理重點實驗室廣西自然科學基金創(chuàng)新團隊項目(2013GXNSFFA019001) 國家自然科學基金“基于鐵電體微疇結(jié)構(gòu)的平板集成高速電光器件研究”(AE0520088)
【分類號】：O657.37;TB383.2
【正文快照】： 2.華南師范大學光電子材料與技術研究所,廣州510631;3.中山大學光電材料與技術國家重點實驗室,物理科學與工程技術學院,廣州510275;4.Department of Mechanical Engineering,University of Malaya,50603Kuala Lumpur,Malaysia;5.Department of Physics,Auburn University,Aubu

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本文編號：1357958