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IGCT測(cè)試夾具壓力和溫度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2024-06-01 23:29
  隨著電力半導(dǎo)體器件的快速發(fā)展,集成門極換流晶閘管(IGCT)在高壓大功率領(lǐng)域已經(jīng)開始應(yīng)用,同時(shí)器件的測(cè)試設(shè)備也不斷向智能化方向發(fā)展。為了適應(yīng)該發(fā)展趨勢(shì)的要求,本文針對(duì)IGCT的測(cè)試夾具進(jìn)行智能化研究。主要研究?jī)?nèi)容如下:首先,簡(jiǎn)要介紹了IGCT測(cè)試夾具的結(jié)構(gòu)和工作原理,并根據(jù)IGCT器件的測(cè)試要求,確定了測(cè)試夾具的壓力和溫度控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)指標(biāo)。然后對(duì)測(cè)試夾具進(jìn)行結(jié)構(gòu)強(qiáng)度、熱場(chǎng)及熱固耦合分析。其次,研究了IGCT測(cè)試夾具的壓力控制系統(tǒng)。對(duì)系統(tǒng)的液壓動(dòng)力參數(shù)進(jìn)行計(jì)算,得出了液壓缸、伺服閥以及力傳感器等的傳遞函數(shù),分析了系統(tǒng)的穩(wěn)定性,并利用AMESim和MATLAB軟件搭建了壓力控制系統(tǒng)常規(guī)PID控制和模糊自適應(yīng)PID控制算法的仿真模型,通過對(duì)仿真結(jié)果的比較和分析,對(duì)所設(shè)計(jì)結(jié)果進(jìn)行了驗(yàn)證。再次,研究了IGCT測(cè)試夾具的溫度控制系統(tǒng)。確定了溫度控制系統(tǒng)的總體框架,分析了微處理器外圍電路并對(duì)溫度傳感器進(jìn)行選型,設(shè)計(jì)了溫度采集電路和升溫控制電路,并采用了數(shù)字增量式PID算法實(shí)現(xiàn)恒溫控制,上位機(jī)軟件能實(shí)時(shí)采集溫度信息。最后,對(duì)系統(tǒng)的硬件和軟件進(jìn)行了聯(lián)合調(diào)試。測(cè)試結(jié)見表明,系統(tǒng)控制的精度±0.1℃,超調(diào)...

【文章頁數(shù)】:59 頁

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-1環(huán)繞型和通用

圖1-1環(huán)繞型和通用

西安理工大學(xué)工程碩士專業(yè)學(xué)位論文2及溫度控制系統(tǒng)。由于測(cè)試時(shí)會(huì)出現(xiàn)高電壓、大電流,所以設(shè)計(jì)安全可靠的測(cè)試夾具也能為測(cè)試人員提供一定的安全保障。所以本課題對(duì)IGCT測(cè)試夾具的控制系統(tǒng)研究具有重要意義。1.2國(guó)內(nèi)外研究進(jìn)展IGCT是1996年由瑞士ABB公司首次研發(fā)出來的,隨后設(shè)計(jì)出....


圖1-2三菱電機(jī)對(duì)稱型IGCTFig.1-2MitsubishiElectricSymmetricalIGCT

圖1-2三菱電機(jī)對(duì)稱型IGCTFig.1-2MitsubishiElectricSymmetricalIGCT

的結(jié)果表明將來全球IGCT的需求數(shù)量將以每年度逾15%的比例增加,且5年之內(nèi)突破5000萬美元大關(guān)。目前,國(guó)外一些公司已經(jīng)生產(chǎn)并規(guī);瘧(yīng)用了4kA、4.5kV(1.9kV/2.7kV直流鏈)及5.5kV(3.3kV直流鏈)等型號(hào)的IGCT,有效硅面積孝低損耗、快速開關(guān)等優(yōu)點(diǎn)使其可....


圖1-3門式

圖1-3門式

煊蛟對(duì)堵浜笥詮?庖恍?公司,尤其是IGCT測(cè)試技術(shù)與測(cè)試設(shè)備的研究,長(zhǎng)時(shí)間受制于國(guó)外公司的壟斷,給國(guó)內(nèi)IGCT行業(yè)的發(fā)展造成了不利影響[15]?傮w而言,國(guó)內(nèi)IGCT器件與國(guó)外相比要差得多,這對(duì)我國(guó)的經(jīng)濟(jì)發(fā)展及國(guó)家安全是極為不利的。2005年株洲南車公司研發(fā)了IGCT系列產(chǎn)品,使....


圖2-2夾具控制系統(tǒng)總體框架圖

圖2-2夾具控制系統(tǒng)總體框架圖

試的參數(shù)的時(shí)候,其溫度差將在-2℃~+2℃的范疇中浮動(dòng),如果不滿足條件,則需修正所測(cè)量的結(jié)果。在沒有特別說明的情況下,高溫測(cè)試需在jT~0℃的溫度中實(shí)施,其中jT為額定的結(jié)溫。IGCT在測(cè)試熱阻、通態(tài)電流臨界上升率、通態(tài)浪涌電流等重要參數(shù)時(shí),需要讓被測(cè)器件升溫到其額定結(jié)溫并保持恒....



本文編號(hào):3986538

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