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納米貴金屬/半導體材料對砷(Ⅲ)的光/電催化轉化研究

發(fā)布時間:2025-01-09 03:41
  砷是一種有毒的類金屬元素,砷(As)污染已經(jīng)成為廣泛關注的全球性環(huán)境問題,地下水砷污染是全球飲用水的主要威脅之一。在自然水體中,砷主要以無機亞砷酸鹽(As(Ⅲ))和砷酸鹽(As(Ⅴ))形式存在,其形態(tài)分布主要取決于環(huán)境中的氧化還原電位(Eh)和pH。As(Ⅲ)到As(Ⅴ)的標準氧化還原電位低于Fe(Ⅱ)到Fe(Ⅲ)的氧化還原電位。雖然Fe(Ⅱ)在空氣中很快被氧化為Fe(Ⅲ),但是As(Ⅲ)的氧化速率卻是極其緩慢的。在低鐵含量、空氣飽和、pH值7.6-8.5的水體中As(Ⅲ)的半衰期約為9 d。因此,在地下水中砷主要以As(Ⅲ)的形態(tài)存在。As(Ⅲ)的毒性是As(Ⅴ)的60倍。在自然水體pH范圍內(nèi),As(Ⅴ)以陰離子形式存在,As(Ⅲ)以中性分子(H3ASO4)形式存在,因此As(Ⅲ)更容易遷移。吸附、離子交換、膜技術等常規(guī)除砷方法對As(Ⅴ)非常有效,但對As(Ⅲ)很差。因此有必要先將As(Ⅲ)氧化為As(Ⅴ),然后再去除As(Ⅴ)。但是傳統(tǒng)的化學氧化技術成本高,容易引起二次污染。因此迫切需要開發(fā)新型的高效的氧化As(Ⅲ)的技術。針對As(Ⅲ)的高毒性、易遷移和難以去除的特點以及常規(guī)As...

【文章頁數(shù)】:125 頁

【學位級別】:博士

【部分圖文】:

圖1.2?25?°C下神的形態(tài)隨pH的分布??Fig.1.2?Dis杜化山ion?of?As(III)?and?As(V)?as?a?function?of?pH?at?25?°C.??

圖1.2?25?°C下神的形態(tài)隨pH的分布??Fig.1.2?Dis杜化山ion?of?As(III)?and?As(V)?as?a?function?of?pH?at?25?°C.??

0?2?4?6?8?10?12?14??pH??圖1.1?25?°C時、一個大氣壓下神的pH與Eh圖,總神的濃度為10—5?mol/L,總硫的濃??度為?l〇-3mol/L??Fig.l?.1?The?Eh-pH?diagram?for?As?at?25?°C?and?1?atm....


圖2.1陰陽極分離的電解裝置圖

圖2.1陰陽極分離的電解裝置圖

口管導入AgN〇3溶液中,通過控制氯氣流速將H3AS氣體趕出陰極池,被AgN〇3??溶液吸收,然后通過紫外可見分光光度計測定H3AS的產(chǎn)量。將電解后的碳棒浸入??HN03溶液中,通過ICP-MS測定As(0)的生成量。裝置如圖2.1所示。??1??Jak?|j?':''.;::?....


圖2.2?(a)?0.1?M?HN03溶液中濃度為40?mg/L的As(m)在鉆盤電極上的伏安圖,掃描速度是50??mV/s;?(b)As田I)氧化為As(V)的電流峰與0.1M硝酸溶液中As巧I)的濃度(0、5、10、20、?^??30、40、60、80?mg/L)關系;似1M鹽酸中濃度為40?mg/?

圖2.2?(a)?0.1?M?HN03溶液中濃度為40?mg/L的As(m)在鉆盤電極上的伏安圖,掃描速度是50??mV/s;?(b)As田I)氧化為As(V)的電流峰與0.1M硝酸溶液中As巧I)的濃度(0、5、10、20、?^??30、40、60、80?mg/L)關系;似1M鹽酸中濃度為40?mg/?

disk?electrode?in?0.1?mol/L?HN03.?LSASV?parameters:?pi*edq)〇sitio打?at?-0.3?V?for?200?s,化e??scanning?rate?was?50?mV/s,?sample?interval?was?0.....


圖2.3?(a)電解時間分別為0、6、12、15、18、21、24、27、60inin時,陽極液在領電極上的?

圖2.3?(a)電解時間分別為0、6、12、15、18、21、24、27、60inin時,陽極液在領電極上的?

?20K.5??反應不同時間后的陽極液在鉆盤電極上的伏安圖見圖2.3(a)。隨著電解時間的??増加,As仰)氧化為As(V)的氧化峰越來越低,峰電流越來越小,說明溶液中As(III)??濃度在不斷降低。陽極液的As(ni)處在完全氧化的環(huán)境中極易失去電子被氧化為??As(V)。施....



本文編號:4025094

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