納米貴金屬/半導(dǎo)體材料對(duì)砷(Ⅲ)的光/電催化轉(zhuǎn)化研究
【文章頁(yè)數(shù)】:125 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2?25?°C下神的形態(tài)隨pH的分布??Fig.1.2?Dis杜化山ion?of?As(III)?and?As(V)?as?a?function?of?pH?at?25?°C.??
0?2?4?6?8?10?12?14??pH??圖1.1?25?°C時(shí)、一個(gè)大氣壓下神的pH與Eh圖,總神的濃度為10—5?mol/L,總硫的濃??度為?l〇-3mol/L??Fig.l?.1?The?Eh-pH?diagram?for?As?at?25?°C?and?1?atm....
圖2.1陰陽(yáng)極分離的電解裝置圖
口管導(dǎo)入AgN〇3溶液中,通過(guò)控制氯氣流速將H3AS氣體趕出陰極池,被AgN〇3??溶液吸收,然后通過(guò)紫外可見(jiàn)分光光度計(jì)測(cè)定H3AS的產(chǎn)量。將電解后的碳棒浸入??HN03溶液中,通過(guò)ICP-MS測(cè)定As(0)的生成量。裝置如圖2.1所示。??1??Jak?|j?':''.;::?....
圖2.2?(a)?0.1?M?HN03溶液中濃度為40?mg/L的As(m)在鉆盤(pán)電極上的伏安圖,掃描速度是50??mV/s;?(b)As田I)氧化為As(V)的電流峰與0.1M硝酸溶液中As巧I)的濃度(0、5、10、20、?^??30、40、60、80?mg/L)關(guān)系;似1M鹽酸中濃度為40?mg/?
disk?electrode?in?0.1?mol/L?HN03.?LSASV?parameters:?pi*edq)〇sitio打?at?-0.3?V?for?200?s,化e??scanning?rate?was?50?mV/s,?sample?interval?was?0.....
圖2.3?(a)電解時(shí)間分別為0、6、12、15、18、21、24、27、60inin時(shí),陽(yáng)極液在領(lǐng)電極上的?
?20K.5??反應(yīng)不同時(shí)間后的陽(yáng)極液在鉆盤(pán)電極上的伏安圖見(jiàn)圖2.3(a)。隨著電解時(shí)間的??増加,As仰)氧化為As(V)的氧化峰越來(lái)越低,峰電流越來(lái)越小,說(shuō)明溶液中As(III)??濃度在不斷降低。陽(yáng)極液的As(ni)處在完全氧化的環(huán)境中極易失去電子被氧化為??As(V)。施....
本文編號(hào):4025094
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