本實(shí)驗(yàn)主要采用的主體工藝為填充床電極反應(yīng)器，利用電沉積法去除含銅廢水中的銅離子。采用SEM、XRD、CV、極化曲線、EIS分析手段描述電沉積銅的物化特性；應(yīng)用本課題組針對有機(jī)物氧化所提出的“階段反應(yīng)理論”，以濃度c(t)/c0、平均電流效率(ACE)和能耗(Esp)為衡量指標(biāo)，驗(yàn)證階段反應(yīng)理論是否能準(zhǔn)確預(yù)測電沉積銅的電化學(xué)行為，具體結(jié)論如下： (1)通過流動(dòng)方式，電沉積時(shí)間、流速和槽壓的SEM圖對比可知?jiǎng)討B(tài)條件下，電沉積時(shí)間為6h，進(jìn)水流速0.6L/h，槽壓為6V時(shí)電沉積銅的晶體表面堆積較緊密，電沉積效果明顯，銅的去除率較高。 (2)通過流動(dòng)方式，電沉積時(shí)間，流速的XRD圖對比可知其生成的是單質(zhì)銅；動(dòng)態(tài)條件下更易于晶粒的長大；隨著電沉積時(shí)間的延長，晶核的形成速率大于其生長速率，晶粒尺寸有所減小。且通過結(jié)晶度的大小比較可得，各種對比條件下動(dòng)態(tài)的，電沉積時(shí)間為6h，流速為0.6L/h時(shí)電沉積生成的銅的晶粒質(zhì)點(diǎn)分布更規(guī)則。 (3)填充活性炭后其活性位點(diǎn)數(shù)量遠(yuǎn)大于非填充床的，析銅過電位也隨之變大，且交換電流密度i0變大，電阻變小，故該條件下電沉積銅的效果較好；增大銅離子濃度時(shí)，其還原峰的電流密...

【文章頁數(shù)】：69 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖3-1不同流動(dòng)方式的掃描電鏡圖

唯一不同的是其是在動(dòng)態(tài)條件下，由恒流蠕動(dòng)泵以0.6L/h的流速下補(bǔ)充電解液的方式電沉積銅。由以上兩圖對比可知，圖(b)在動(dòng)態(tài)條件下電沉積銅的晶體表面堆積較緊密，電沉積效果明顯，去除銅的去除率較高。電沉積是經(jīng)過化學(xué)氧化還原反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，由化學(xué)平衡常數(shù)的特性也可知?jiǎng)討B(tài)條件下補(bǔ)充銅離....

圖3-2不同電沉積時(shí)間的掃描電鏡圖

且隨著電沉積時(shí)間的延長，鍍層厚度逐漸增加，銅顆粒的外觀尺明顯增大，致密度也明顯提高。圖3-2(a)的銅鍍層分布較疏松，團(tuán)聚現(xiàn)象不明顯，但圖3-2(c)其電沉積效果十分明顯，且銅鍍層致密度高。3.1.3不同流速的對比

圖3-3不同流速的掃描電鏡圖

且隨著電沉積時(shí)間的延長，鍍層厚度逐漸增加，銅顆粒的外觀尺寸明顯增大，致密度也明顯提高。圖3-2(a)的銅鍍層分布較疏松，團(tuán)聚現(xiàn)象不明顯，但圖3-2(c)其電沉積效果十分明顯，且銅鍍層致密度高。3.1.3不同流速的對比

圖3-4不同電壓的掃描電鏡圖

(a)4V(b)6V圖3-4不同電壓的掃描電鏡圖Figure3-4TheSEMofthedifferentvoltage圖3-4為不同操作電壓下電沉積銅的掃描電鏡圖，均放大2000倍。其操作條件為靜態(tài)電沉積，銅離子濃度5g/L，電沉積時(shí)間為2h。由....

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