臺(tái)積電2納米取得突破:傳將采用GAA技術(shù)或2023~2024年投產(chǎn)
發(fā)布時(shí)間:2020-12-08 07:02
<正>在臺(tái)積電先進(jìn)制程發(fā)展方面,目前5納米準(zhǔn)備積極進(jìn)入量產(chǎn),3納米也將在2022年迎來(lái)投產(chǎn)的關(guān)鍵時(shí)刻,而更先進(jìn)的2納米制程也傳出取得重大進(jìn)展。市場(chǎng)估計(jì),臺(tái)積電2納米預(yù)計(jì)在2023~2024年量產(chǎn)的情況下,預(yù)計(jì)將能進(jìn)一步鞏固全球晶圓代工龍頭的地位。根據(jù)臺(tái)灣地區(qū)《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》的報(bào)導(dǎo),臺(tái)積電在考慮成本及良率的因素下,3納米制程延用鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FinFET)技術(shù),并取得全球的領(lǐng)導(dǎo)地位之后,更先進(jìn)的2納米制程預(yù)計(jì)將切入環(huán)繞閘極(GAA)技術(shù),正式進(jìn)入另一個(gè)全新的制程技術(shù)領(lǐng)域,而且預(yù)料在接下來(lái)的年度技術(shù)論壇中,臺(tái)積電將會(huì)公布這項(xiàng)成果。
【文章來(lái)源】:半導(dǎo)體信息. 2020年04期 第20-21頁(yè)
【文章頁(yè)數(shù)】:2 頁(yè)
本文編號(hào):2904675
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