發(fā)布時(shí)間：2024-10-04 20:01

　　 選用尺寸為10mm×10mm×5mm的碲鋅鎘(CZT)晶體制作輻射測(cè)量探頭,對(duì)其5個(gè)側(cè)面進(jìn)行開(kāi)鈹窗處理,并對(duì)探頭的非對(duì)稱電極結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì),避免CZT晶體由于側(cè)面與正面尺寸不同而導(dǎo)致的響應(yīng)不一致問(wèn)題。選用能量為10keV的低能γ射線對(duì)該探頭的角響應(yīng)特性進(jìn)行測(cè)試,結(jié)果表明,該探頭的角度響應(yīng)偏差符合國(guó)家計(jì)量檢定規(guī)程的要求,實(shí)現(xiàn)了良好的角度響應(yīng)。

【文章頁(yè)數(shù)】：4 頁(yè)

【部分圖文】：

圖1CZT探測(cè)器的制備流程

CZT探頭研制的核心工段是單平面結(jié)構(gòu)的CZT探測(cè)器的制備。制備中要求材料表面無(wú)機(jī)械損傷且光滑，表面漏電流��；同時(shí)，要求所制備電極的附著力強(qiáng)，具有良好的歐姆接觸特性。此外，還要求外電路連接簡(jiǎn)潔，器件密封效果好。本文的CZT探測(cè)器在陜西迪泰克新材料有限公司的工藝線上制備完成[9]，制....

圖2CZT探頭的結(jié)構(gòu)示意圖

CZT探頭的制備過(guò)程主要包括外電路連接及封裝。在制備過(guò)程中，對(duì)探頭的5個(gè)側(cè)面分別進(jìn)行開(kāi)鈹窗處理，開(kāi)窗厚度設(shè)置為300μm。研究表明，該開(kāi)窗厚度既能保證入射窗的機(jī)械強(qiáng)度，又能保證射線能量低至10keV時(shí)仍有較高的透過(guò)率。CZT探頭結(jié)構(gòu)示意圖如圖2所示。其中，綠色部分為鈹窗，內(nèi)部為C....

圖3非對(duì)稱形電極結(jié)構(gòu)

產(chǎn)生角度響應(yīng)差異的主要原因是隨著入射角度的變化，入射光子的沉積位置發(fā)生變化。因此，通過(guò)將權(quán)重勢(shì)聚集在陽(yáng)極，可使無(wú)論陰極入射還是側(cè)面入射，載流子收集的集中區(qū)域均為陽(yáng)極。但權(quán)重勢(shì)過(guò)于集中會(huì)導(dǎo)致電場(chǎng)變?nèi)�，影響載流子的輸運(yùn)，造成光電峰效率過(guò)低，因此，必須通過(guò)優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)找出最佳的權(quán)重勢(shì)。....

圖4非對(duì)稱電極的電勢(shì)分布

非對(duì)稱電極的電勢(shì)分布如圖4所示。由圖4可見(jiàn)，非對(duì)稱電極結(jié)構(gòu)的電勢(shì)主要集中于陽(yáng)極處，即沿陰極向陽(yáng)極方向大部分深度范圍內(nèi)的電勢(shì)變化不大，當(dāng)接近陽(yáng)極時(shí)，電勢(shì)急劇變大。圖5電極優(yōu)化后的權(quán)重勢(shì)分布

本文編號(hào)：4007089