高比表面積有序大介孔鎢、鉬基氧化物的合成及其在礦井危害氣體檢測中的應(yīng)用
【圖文】:
導(dǎo)體的空穴積累層變寬。此時,N型半導(dǎo)體材料的電阻增大,P型半導(dǎo)體材料的電阻減小。敏感逡逑元件與待測氣體接觸平衡后的電阻即為敏感元件在待測氣體中的穩(wěn)定電阻,此時的電阻值記為逡逑。圖1-3為N型半導(dǎo)體晶體能帶圖。逡逑“E邐個£逡逑V逡逑^邋V邋^邋c邋e邋e邋r邋e邋(*逡逑——邐邐邐Ec邋^邐邐 ̄一邋[c逡逑……」邐1邐…一卜……逡逑EF邐r邐^逡逑邐^V"邐Ev逡逑0邐-v邐]0邐x逡逑(a)吸附氧氣前邐(b)吸附氧氣后逡逑圖1-3邋N型半導(dǎo)體晶體能帶示意圖逡逑Fig.邋1-3邋Diagram邋of邋N-t};pe邋semiconductor邋Energ\:邋band逡逑-8邋-逡逑
寧夏大學(xué)碩士學(xué)位論文邐第二章實驗部f逡逑體產(chǎn)生衍射的必要不充分條件,是晶體衍射的理論基礎(chǔ)。圖2-1為X射線衍射示意圖,根據(jù)布拉逡逑格公式:逡逑2dsin6邋=逡逑式中.?邋d為晶面間距,0為布拉格角(最大晶面衍射角),n為衍射級數(shù),X為入射X射線波逡逑長。逡逑A邐C逡逑A'x邋X邐^邐/C,,逡逑X邋\b邋'邋X逡逑-逡逑a逡逑Atwiiic-scale邋crystal邋lattice邋planes逡逑圖2-】X射線衍射示意圖逡逑Fig.邋2-1邋X-Ray邋diffraction邋diagram逡逑(2)謝樂公式(測晶粒尺寸的理論基礎(chǔ)):X射線衍射譜帶的展寬取決于晶粒尺寸:晶粒尺逡逑寸越小,其衍射線越彌散和寬化。謝樂(Scherrer)公式可以描述晶粒尺寸與衍射峰半峰寬之間的逡逑關(guān)系。根據(jù)謝樂公式:逡逑kX逡逑d邋=邐逡逑Pcos8逡逑式中:d為晶粒尺寸,k為Scherrer常數(shù),X為輻射的波長,p為衍射峰的加寬,0為半衍射逡逑角。逡逑2.3.2透射電子顯微鏡(TEM)逡逑透射電子顯微鏡(Transmission邋electron邋microscope,簡稱TEM)主要用于觀察尺寸小于0.2逡逑微米的超微結(jié)構(gòu)。本文所用的透射電子顯微鏡地型號為為日本日立公司的HT-7700,加速電壓為逡逑100kV,電流為邋10A邋=逡逑透射電子顯微鏡是將加速和聚集后的電子束投射到載有待測樣品的銅網(wǎng)上
【學(xué)位授予單位】:寧夏大學(xué)
【學(xué)位級別】:碩士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:TP212;TD79;TB383.4
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本文編號:2600974
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