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周期性量子點(diǎn)和“卵形”量子點(diǎn)的原位激光制備

發(fā)布時(shí)間:2024-06-29 14:06
  半導(dǎo)體量子點(diǎn)因獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特性,其電子運(yùn)動在空間三個(gè)方向上受到限制,因此能級呈現(xiàn)分立狀態(tài),素有“人工原子”之稱,在多個(gè)領(lǐng)域有重要的應(yīng)用價(jià)值。而激光、存儲器以及量子計(jì)算等領(lǐng)域往往要求控制量子點(diǎn)的位置分布,F(xiàn)階段控制量子點(diǎn)位置的技術(shù)主要是在圖形化襯底上生長量子點(diǎn)。但這項(xiàng)技術(shù)引入的缺陷、表面氧化以及化學(xué)污染都很嚴(yán)重。課題組創(chuàng)造性地將分子束外延技術(shù)和激光干涉技術(shù)原位結(jié)合,本文在激光干涉原位圖形化刻蝕加工量子點(diǎn)方面做了進(jìn)一步研究。在As4氛圍下進(jìn)行了周期性量子點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),As4氛圍下制備的周期性量子點(diǎn)幾何形態(tài)上存在明顯的“卵形”形變?紤]到As2氛圍能夠有效抑制In原子對激光的響應(yīng)活性,本文在As2氛圍下進(jìn)行周期性量子點(diǎn)的制備。為了提高相干增強(qiáng)區(qū)域量子點(diǎn)的脫附效率,降低相干相消區(qū)域量子點(diǎn)的形變,本文通過提高襯底溫度并降低激光功率,最終取得了形態(tài)對稱的周期性量子點(diǎn)。利用As4氛圍下In原子光致遷移行為具有極高的各向異性這一特點(diǎn),本文在As4氛圍下使用激光對量子點(diǎn)進(jìn)行原位整形研究。結(jié)果表明:對應(yīng)于一定強(qiáng)度的激光,量子點(diǎn)襯底溫度存在一個(gè)整形閾值,當(dāng)襯底溫度高于閾值時(shí),激光可在不破壞原子層的條...

【文章頁數(shù)】:67 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

圖1-2零維量子點(diǎn)的電子態(tài)密度分布示意圖,插圖為零維量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)示意圖??目前研宄發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)隨著維度和尺寸的降低,表現(xiàn)出例如量子尺寸效應(yīng)、量子隧??

圖1-2零維量子點(diǎn)的電子態(tài)密度分布示意圖,插圖為零維量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)示意圖??目前研宄發(fā)現(xiàn)量子點(diǎn)隨著維度和尺寸的降低,表現(xiàn)出例如量子尺寸效應(yīng)、量子隧??

第一章緒論?周期性量子點(diǎn)和“卵形”量子點(diǎn)的原位激光制備??麵?■??(a)?(b)?(c)?(d)??圖1-1不同維度的半導(dǎo)體材料[11]:?(a)三維塊體材料;(b)二維量子阱材料;(c)?一維量??子線材料;(d)零維量子點(diǎn)材料??利用量子力學(xué)公式可計(jì)算出量子點(diǎn)載流子的波函數(shù)....


圖1-1不同維度的半導(dǎo)體材料[11]:?(a)三維塊體材料;(b)二維量子阱材料;(c)?一維量??

圖1-1不同維度的半導(dǎo)體材料[11]:?(a)三維塊體材料;(b)二維量子阱材料;(c)?一維量??

第一章緒論?周期性量子點(diǎn)和“卵形”量子點(diǎn)的原位激光制備??麵?■??(a)?(b)?(c)?(d)??圖1-1不同維度的半導(dǎo)體材料[11]:?(a)三維塊體材料;(b)二維量子阱材料;(c)?一維量??子線材料;(d)零維量子點(diǎn)材料??利用量子力學(xué)公式可計(jì)算出量子點(diǎn)載流子的波函數(shù)....


圖1-3在圖形化襯底上生長量子點(diǎn)的過程示意圖:(a)利用刻蝕技術(shù)制備第一層圖案;(b)圖??(a)中孔洞結(jié)構(gòu)過小過疏時(shí)量子點(diǎn)的生長情況;(c)圖(a)中孔洞結(jié)構(gòu)過大過密時(shí)量子點(diǎn)的生??長情況;(d)在圖形化襯底上生長完量子點(diǎn)后生長蓋層的示意圖;(e)圖(d)中蓋層過薄時(shí)第??

圖1-3在圖形化襯底上生長量子點(diǎn)的過程示意圖:(a)利用刻蝕技術(shù)制備第一層圖案;(b)圖??(a)中孔洞結(jié)構(gòu)過小過疏時(shí)量子點(diǎn)的生長情況;(c)圖(a)中孔洞結(jié)構(gòu)過大過密時(shí)量子點(diǎn)的生??長情況;(d)在圖形化襯底上生長完量子點(diǎn)后生長蓋層的示意圖;(e)圖(d)中蓋層過薄時(shí)第??

第一章緒論?周期性量子點(diǎn)和“卵形”量子點(diǎn)的原位激光制備??主要是利用微納加工手段比如電子束光刻、納米壓英全息光刻以及機(jī)械刻蝕等方法??在襯底上制造周期性的微納結(jié)構(gòu)p;28;58_6()],在烘烤去氣處理之后結(jié)合分子束外延??(MBE)或金屬有機(jī)氣相沉淀(MOCVD)等手段再生長按....


圖1-6利用干涉場制備周期性量子點(diǎn)的示意圖:(a)利用干涉場輻照量/?點(diǎn);(b)受千涉場調(diào)??周量

圖1-6利用干涉場制備周期性量子點(diǎn)的示意圖:(a)利用干涉場輻照量/?點(diǎn);(b)受千涉場調(diào)??周量

子點(diǎn)中In原子未完全脫附??干凈,同時(shí)較低的溫度下原子的遷移作用有限。??D?=?D〇exp-Ed/kT?(1.8)??課題組就這兩種現(xiàn)象提出了“光致脫附”理論模型[64;71],即原子在激光輻照后獲??得足夠強(qiáng)的能量直接克服真空勢壘,從表面脫離;以及“光致遷移”理論模型?;71....



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