電子束驅(qū)動(dòng)低溫等離子體源的動(dòng)理學(xué)模擬研究
【學(xué)位單位】:華中科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:O53
【文章目錄】:
摘要
Abstract
1 緒論
1.1 低溫等離子體與微電子工業(yè)
1.2 原子層刻蝕的關(guān)鍵問(wèn)題及其解決方法
1.3 電子束驅(qū)動(dòng)的低溫等離子體源的研究進(jìn)展
1.4 本文研究的主要內(nèi)容與擬解決的問(wèn)題
2 PIC/MCC模型
2.1 概述
2.2 顯格式PIC算法
2.3 隱格式PIC算法
2.4 MCC模型
2.5 收斂測(cè)試
2.6 本章小結(jié)
3 電子束驅(qū)動(dòng)純氬氣等離子體放電特性的模擬
3.1 引言
3.2 模型與參數(shù)
3.3 電子束的電流大小對(duì)氬氣放電特性的調(diào)制
3.4 電子束的能量大小對(duì)氬氣放電特性的調(diào)制
3.5 等離子體氣壓大小對(duì)氬氣放電特性的調(diào)制
3.6 離子通量和極板表面的離子能量分布函數(shù)
3.7 本章小結(jié)
4 電子束注入對(duì)射頻容性耦合等離子體的調(diào)制
4.1 引言
4.2 模型與參數(shù)
4.3 調(diào)制等離子體密度與電子溫度
4.4 調(diào)制電子的能量分布
4.5 調(diào)制電子通量和離子通量
4.6 本章小結(jié)
5 電子束與直流源聯(lián)合驅(qū)動(dòng)氬氣放電特性的模擬
5.1 引言
5.2 模型與參數(shù)
5.3 電子束從陰極驅(qū)動(dòng)氬氣放電
5.4 電子束從接地極驅(qū)動(dòng)氬氣放電
5.5 從陰極/接地極驅(qū)動(dòng)放電的對(duì)比
5.6 本章小結(jié)
6 全文總結(jié)與工作展望
6.1 本文工作總結(jié)
6.2 下一步工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
附錄1 攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的主要論文
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