發(fā)布時間：2021-01-13 16:27

　　在科技發(fā)展日新月異的今天,基于磁疇壁器件的相關(guān)研究正逐漸引起人們的關(guān)注。與磁疇壁相關(guān)的新型器件已經(jīng)在諸如新型存儲器、磁傳感器件等領(lǐng)域有了廣闊的應(yīng)用前景。然而,在疇壁機制相關(guān)的研究領(lǐng)域方面,人們基于疇壁運動對疇壁進行精確的定位仍然十分困難,對于疇壁磁電阻對磁電阻效應(yīng)的影響也尚不明確,這些都對于與疇壁相關(guān)器件的設(shè)計十分重要。本文通過設(shè)計一種Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu),對疇壁的位置進行了確認,并通過摻雜不同元素,分析了疇壁磁電阻的變化。第一章緒論部分主要介紹了磁存儲器技術(shù)的當(dāng)前進展以及這期間所遇到的相關(guān)問題,磁電阻效應(yīng)的概述和分類,磁疇與疇壁的相關(guān)知識,并論述了在磁疇壁研究當(dāng)中疇壁位置的定位問題以及疇壁磁電阻是增加了磁電阻效應(yīng)（正向的疇壁磁電阻）還是減少了磁電阻效應(yīng)（負向的疇壁磁電阻）。第二章主要介紹Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)的制備工藝和測試方法。在實驗中,我們主要采用了磁控濺射工藝、掩膜版技術(shù)、離子束刻蝕工藝等微加工相關(guān)技術(shù),我們詳細介紹了與此相關(guān)的儀器設(shè)備的工作原理與工作流程,并對其中的注意事項進行了總結(jié)。此外,我們在微加工技術(shù)的基礎(chǔ)上對實驗流程進行了一定的改進,使之更符合當(dāng)前的實驗條件。樣... 

【文章來源】：安徽大學(xué)安徽省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 磁電阻效應(yīng)
        1.2.1 正常磁電阻效應(yīng)（OMR）
        1.2.2 各向異性磁電阻效應(yīng)（AMR）
        1.2.3 巨磁電阻效應(yīng)（GMR）
        1.2.4 隧道磁電阻效應(yīng)（TMR）
    1.3 疇壁
        1.3.1 磁疇
        1.3.2 疇壁
    1.4 本論文的選題背景和主要研究方向
        1.4.1 疇壁位置的確認
        1.4.2 疇壁磁電阻的變化現(xiàn)象
第二章 薄膜樣品的制備流程
    2.1 掩膜版的設(shè)計
    2.2 硅片的清洗
    2.3 磁控濺射鍍膜
        2.3.1 磁控濺射原理
        2.3.2 磁控濺射設(shè)備
        2.3.3 磁控濺射鍍膜系統(tǒng)的操作步驟
        2.3.4 磁控濺射鍍膜流程
    2.4 離子束刻蝕
        2.4.1 覆蓋掩膜版
        2.4.2 離子束刻蝕
        2.4.3 等離子清洗
        2.4.4 制備頂電極
    2.5 樣品切割
    2.6 薄膜樣品的測試
        2.6.1 振動樣品磁強計（VSM）
        2.6.2 磁電阻測試
        2.6.3 磁光克爾顯微鏡
第三章 結(jié)果與討論
    3.1 Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)樣品的疇壁磁電阻
    3.2 在Py中摻雜了Cr、Cu的Co/Py橫向異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)樣品的疇壁磁電阻變化
第四章 總結(jié)與展望
參考文獻
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間發(fā)表的學(xué)術(shù)論文和專利


【參考文獻】：
期刊論文
[1]賽道存儲器移動操作的溫度模型及控制策略[J]. 張超,孫廣宇,張學(xué)瑩,趙巍勝.  計算機研究與發(fā)展. 2017(01)
[2]磁性材料的磁結(jié)構(gòu)、磁疇結(jié)構(gòu)和拓撲磁結(jié)構(gòu)[J]. 張志東.  物理學(xué)報. 2015(06)
[3]各向異性磁電阻材料的研究進展[J]. 皇甫加順,盛樹,李寶河,于廣華.  中國材料進展. 2011(10)
[4]磁疇觀測方法現(xiàn)狀與展望[J]. 許啟明,張振彬,楊永明.  磁性材料及器件. 2010(04)
[5]基于磁光克爾效應(yīng)的磁疇觀測與處理系統(tǒng)[J]. 張振彬,許啟明,楊永明.  磁性材料及器件. 2010(02)
[6]隧道磁電阻效應(yīng)的原理及應(yīng)用[J]. 吉吾爾·吉里力,拜山·沙德克.  材料導(dǎo)報. 2009(S1)
[7]磁控濺射鍍膜技術(shù)的發(fā)展[J]. 余東海,王成勇,成曉玲,宋月賢.  真空. 2009(02)
[8]磁阻隨機存取存儲器（MRAM）的原理與研究進展[J]. 吳曉薇,郭子政.  信息記錄材料. 2009(02)
[9]磁電阻效應(yīng)的原理及其應(yīng)用[J]. 張海峰,劉曉為,王喜蓮,霍明學(xué).  哈爾濱工業(yè)大學(xué)學(xué)報. 2008(03)
[10]半導(dǎo)體光刻技術(shù)及設(shè)備的發(fā)展趨勢[J]. 姚達,劉欣,岳世忠.  半導(dǎo)體技術(shù). 2008(03)



本文編號：2975191