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NAND Flash壞塊管理算法及邏輯層驅(qū)動設(shè)計

發(fā)布時間:2020-12-13 18:24
  踏入二十一世紀(jì),NAND Flash memory(快閃記憶體),已廣泛應(yīng)用于移動手提設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)中,NAND Flash無疑已經(jīng)成為主流的大容量存儲介質(zhì)。由于NAND Flash出廠時和在使用中均會產(chǎn)生壞塊,壞塊管理一直是NAND Flash管理的關(guān)鍵和難點所在。傳統(tǒng)的針對小容量NAND Flash采用的壞塊管理算法已經(jīng)不能適應(yīng)現(xiàn)代大容量NAND Flash的需要。因此,急需突破傳統(tǒng)的NAND Flash壞塊管理設(shè)計思想,研究新的壞塊管理算法與關(guān)鍵技術(shù)。在上述研究內(nèi)容中,壞塊替換和邏輯—物理塊地址映射表的更新是壞塊管理算法的核心內(nèi)容,因此本論文重點研究NAND Flash中的壞塊管理算法與相應(yīng)的邏輯層驅(qū)動設(shè)計,主要研究成果如下:(1)本論文在綜合分析ST等主流NAND Flash芯片供應(yīng)商提供的壞塊管理方法基礎(chǔ)上,提出了一種優(yōu)化了的動態(tài)壞塊管理算法。在NAND Flash使用過程中,遇到擦除失敗或編程失敗的塊,進行動態(tài)的壞塊管理,動態(tài)更新壞塊信息表。(2)針對目前流行嵌入式系統(tǒng)大部分采用FAT文件系統(tǒng)管理NAND Flash的情況,結(jié)合新一代大容量NAND Flash均支持的ca... 

【文章來源】:西安電子科技大學(xué)陜西省 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:88 頁

【學(xué)位級別】:碩士

【部分圖文】:

NAND Flash壞塊管理算法及邏輯層驅(qū)動設(shè)計


HT3001芯片封裝圖

影像,筆記本電腦,廠商,高速成長


第一章 緒論3踏入二十一世紀(jì),隨著寫入速度、高容量及單位位元價格下降等因素,對聲音、影像等資料(例如MP3)的嵌入式儲存也成為NAND Flash發(fā)展的另一主流。過去幾年NAND Flash產(chǎn)業(yè)呈現(xiàn)高速成長的狀況,NAND Flash以外接記憶卡、內(nèi)建在裝置內(nèi)作為儲存媒介等方式,主要集中應(yīng)用在數(shù)字相機、移動電話、隨身碟和MP3和PMP播放器。2006 年,三星開始向筆記本電腦廠商以及數(shù)碼設(shè)備廠商供應(yīng)容量達 32GB的NAND Flash, 可以預(yù)測,NAND Flash憑借其穩(wěn)定性、低功耗以及無噪音的優(yōu)良特性,將開始從超輕薄與超小型機種開始,逐步替代筆記本電腦的傳統(tǒng)硬盤[3]。NAND Flash在各類領(lǐng)域中的應(yīng)用需求趨勢如圖 1.3 和圖 1.4 所示。

產(chǎn)量統(tǒng)計,需求趨勢,超輕


音的優(yōu)良特性,將開始從超輕薄與超小型機種開始,逐步替代筆記本電腦的傳統(tǒng)硬盤[3]。NAND Flash在各類領(lǐng)域中的應(yīng)用需求趨勢如圖 1.3 和圖 1.4 所示。圖 1.3 NAND Flash 需求成長動力


本文編號:2914976

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