發(fā)布時(shí)間：2020-12-11 07:55

　　基于1T1MTJ的自旋轉(zhuǎn)移矩-磁隨機(jī)存儲(chǔ)器（STT-MRAM）提出了一種改進(jìn)型存內(nèi)位邏輯計(jì)算方案。該方案通過(guò)精簡(jiǎn)2T2MTJ存內(nèi)位邏輯運(yùn)算方案提升了存儲(chǔ)陣列密度,通過(guò)互補(bǔ)型讀出電路增加了"與非"和"或非"的運(yùn)算功能。此外,還通過(guò)增加支路電壓穩(wěn)定電路的方法,提出了一種適用于上述方案的改進(jìn)型高速靈敏放大器�；�于中芯國(guó)際55 nm LL邏輯工藝的仿真結(jié)果表明,相較于傳統(tǒng)的靈敏放大器,該方案不僅讀取速度提升了33%,在適配大型存儲(chǔ)陣列（CB≥0.8 p F）時(shí)還擁有更強(qiáng)的讀取能力與更優(yōu)的功率積（PDP）。 

【文章來(lái)源】：電子技術(shù)應(yīng)用. 2020年06期 第40-44+50頁(yè)

【文章頁(yè)數(shù)】：6 頁(yè)

【文章目錄】：
0 引言
1 基于STT-MRAM的高密度位邏輯運(yùn)算方案
    1.1 1T1MTJ的存內(nèi)位邏輯運(yùn)算方案
    1.2 1T1MTJ存內(nèi)位邏輯運(yùn)算的典型讀電路仿真結(jié)果
2 1T1MTJ位邏輯運(yùn)算方案的改進(jìn)型高速靈敏放大器
3 電路仿真結(jié)果與分析
    3.1 面對(duì)不同尺寸陣列的感測(cè)結(jié)果比較
    3.2 不同輸入輸出電容對(duì)放大器性能的影響
    3.3 工藝角和不同磁阻下的放大器仿真
4 結(jié)論


【參考文獻(xiàn)】：
碩士論文
[1]基于65nm SRAM的低失調(diào)自啟動(dòng)靈敏放大器的分析與設(shè)計(jì)[D]. 周永亮.安徽大學(xué) 2017



本文編號(hào)：2910163