基于1T1MTJ的自旋轉移矩-磁隨機存儲器（STT-MRAM）提出了一種改進型存內(nèi)位邏輯計算方案。該方案通過精簡2T2MTJ存內(nèi)位邏輯運算方案提升了存儲陣列密度,通過互補型讀出電路增加了"與非"和"或非"的運算功能。此外,還通過增加支路電壓穩(wěn)定電路的方法,提出了一種適用于上述方案的改進型高速靈敏放大器�；谥行緡H55 nm LL邏輯工藝的仿真結果表明,相較于傳統(tǒng)的靈敏放大器,該方案不僅讀取速度提升了33%,在適配大型存儲陣列（CB≥0.8 p F）時還擁有更強的讀取能力與更優(yōu)的功率積（PDP）。 

【文章來源】：電子技術應用. 2020年06期 第40-44+50頁

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引言
1 基于STT-MRAM的高密度位邏輯運算方案
    1.1 1T1MTJ的存內(nèi)位邏輯運算方案
    1.2 1T1MTJ存內(nèi)位邏輯運算的典型讀電路仿真結果
2 1T1MTJ位邏輯運算方案的改進型高速靈敏放大器
3 電路仿真結果與分析
    3.1 面對不同尺寸陣列的感測結果比較
    3.2 不同輸入輸出電容對放大器性能的影響
    3.3 工藝角和不同磁阻下的放大器仿真
4 結論


【參考文獻】：
碩士論文
[1]基于65nm SRAM的低失調(diào)自啟動靈敏放大器的分析與設計[D]. 周永亮.安徽大學 2017



本文編號：2910163