發(fā)布時間：2018-06-14 12:53

  本文選題：相變隨機訪問存儲器 + 主存系統(tǒng)　； 參考：《微電子學(xué)與計算機》2014年01期

【摘要】：隨著基于DRAM主存系統(tǒng)功耗的不斷上升,相變隨機訪問存儲器(PCRAM)憑借其高密度、低功耗、非易失等優(yōu)點,將成為下一代最有潛力的主存技術(shù).然而,PCRAM的寫操作具有壽命有限和寫入能耗、延時較大的特點,限制了其在主存系統(tǒng)中的應(yīng)用.為了延長主存系統(tǒng)的使用壽命并減少寫入能耗,采用寫前讀技術(shù)設(shè)計了一種基于異或的數(shù)據(jù)并行機制.實驗結(jié)果表明,經(jīng)過該機制處理,與傳統(tǒng)的Data Comparison Write和Flip-N-Write機制相比,寫壽命分別延長38%和19%,寫入能耗分別減少28%和17%.
[Abstract]:With the increasing power consumption of DRAM-based main memory system, PCRAM (Phase change Random access memory) will become the most potential main memory technology of the next generation due to its advantages of high density, low power consumption, non-volatile and so on. However, the write operation of PCRAM has the characteristics of limited life, writing energy consumption and long time delay, which limits its application in the main memory system. In order to prolong the service life of the main memory system and reduce the write energy consumption, a parallel data mechanism based on XOR is designed by using the pre-write reading technology. The experimental results show that compared with the traditional data comparison write and Flip-N-Write mechanisms, the write life is increased by 38% and 19%, and the write energy consumption is reduced by 28% and 17%, respectively.
【作者單位】： 中國科學(xué)院微電子研究所;
【基金】：中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(XDA06020400) 國家重大科技專項(2012zx03005007)
【分類號】：TP333

【共引文獻】

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本文編號：2017454