發(fā)布時(shí)間：2021-01-06 18:02

　　反鐵電陶瓷是一種典型的相變鐵電材料,被發(fā)現(xiàn)于上世紀(jì)50年代。其中鋯鈦酸鉛（PZT）基陶瓷材料性能優(yōu)異,特別是不易產(chǎn)生介電飽和,剩余極化小,在儲(chǔ)能型脈沖電容器方面具有非常大的應(yīng)用前景。根據(jù)相關(guān)文獻(xiàn)報(bào)道,PLZST反鐵電陶瓷的儲(chǔ)能密度隨Zr含量的增加而升高,隨Sn含量的增加而下降。由此可以推測,高Zr含量的PLZST反鐵電陶瓷很可能具有較高的儲(chǔ)能密度,因此決定選擇化學(xué)組分為（Pb0.97La0.02）（Zr0.95Sn0.01Ti0.04）O3的高Zr低Sn含量的PLZST反鐵電陶瓷做為本次課題的研究對象。本文采用改進(jìn)的溶膠-凝膠法來制備PLZST前驅(qū)體不僅能夠在很大程度上降低反應(yīng)溫度,而且合成的PLZST粉體組分可控、均勻性好,純度和化學(xué)活性都很高,粉末顆粒細(xì)小。在采用傳統(tǒng)的高溫?zé)�結(jié)工藝制備陶瓷樣品時(shí),采用了不同的燒結(jié)條件,并對樣品進(jìn)行了XRD、SEM、電滯回線以及介頻曲線測試,最終確定在燒結(jié)溫度為1150℃、燒結(jié)時(shí)間為2h下制備的PLZST陶瓷樣品的綜合性能最優(yōu)。樣品的介電擊穿場強(qiáng)高達(dá)15MV/m,最大儲(chǔ)能密度為1.08 J/cm3,儲(chǔ)能效率可達(dá)到81.2%。實(shí)驗(yàn)還研究了PbO-B2O... 

【文章來源】：湘潭大學(xué)湖南省

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

各類電儲(chǔ)存器件的儲(chǔ)能密度和比功率

『螅?縟萜髂詰木駁緋∧芫涂?級愿涸厥涑齙縋�。�?1.2 介電材料的極化圖1.2.2 電容器介電材料介電材料在介電電容器工作過程中，起充放電作用。按照儲(chǔ)能原理分，可以將已發(fā)現(xiàn)的介電材料分為線性介電材料（簡稱 LD，如玻璃、Al2O3等）、普通鐵

各類介電材料的E-P曲線

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]高介電常數(shù)0.92PMN-0.08PT陶瓷介電和儲(chǔ)能性能研究[J]. 王武尚,涂國榮,楊靜,楊裕生.  現(xiàn)代應(yīng)用物理. 2015(03)
[2]Sol-Gel法制備PZT粉體的工藝研究[J]. 任偉,李俊紅,趙修臣,劉穎.  壓電與聲光. 2012(03)
[3]共沉淀法制備PZT粉體及性能研究[J]. 李建華,孫清池,楊會(huì)平.  壓電與聲光. 2006(06)
[4]溶膠-凝膠法制備納米PZT粉體及結(jié)構(gòu)表征[J]. 劉紅梅,張德慶,林海波,張亮,劉海濤,邱成軍,曹茂盛.  材料工程. 2006(03)
[5]共沉淀法制備復(fù)合鈣鈦礦結(jié)構(gòu)PLZST的研究[J]. 薛麗紅,張一玲,李強(qiáng),郭泉泳,劉銳.  無機(jī)材料學(xué)報(bào). 2004(03)
[6]微波-水熱法合成PZT粉體的研究[J]. 鄧宏,姜斌,曾娟,李陽,李言榮,王恩信.  電子元件與材料. 2001(02)

碩士論文
[1]PZT薄膜材料的生長與應(yīng)用[D]. 包達(dá)群.廈門大學(xué) 2009



本文編號：2961014