發(fā)布時(shí)間：2024-12-21 22:54

　　 設(shè)計(jì)制備了不同大小的單顆微縮化發(fā)光二極管(Micro-LED)和Micro-LED陣列.其中,單顆MicroLED尺寸為40—100μm,其電極結(jié)構(gòu)為共N極, P極單獨(dú)引出;陣列像素?cái)?shù)量為8×8,被動(dòng)驅(qū)動(dòng)結(jié)構(gòu),像素大小為60μm.器件制備過程中使用厚光刻膠作掩膜,刻蝕N型GaN外延片至襯底,形成隔離槽.通過優(yōu)化電極結(jié)構(gòu)和厚度,提高了P電極在隔離槽爬坡處的可靠性;使用現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(field-programmable gate array, FPGA)對(duì)Micro-LED被動(dòng)陣列進(jìn)行了驅(qū)動(dòng)顯示.對(duì)于不同尺寸的單顆Micro-LED進(jìn)行了電學(xué)、光學(xué)、熱學(xué)等方面的測(cè)試分析.結(jié)果表明:隨著尺寸的減小, Micro-LED所能承受的電流密度越大; Micro-LED與普通藍(lán)光LED相比具有較大的k系數(shù),并且隨著尺寸的減小, k系數(shù)的數(shù)值增大,熱穩(wěn)定性不如傳統(tǒng)藍(lán)光LED.FPGA可以實(shí)現(xiàn)對(duì)Micro-LED被動(dòng)陣列的良好驅(qū)動(dòng).

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本文編號(hào)：4019035