發(fā)布時(shí)間：2024-05-22 22:51

　　絕緣柵雙極型晶體管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)動(dòng)態(tài)測(cè)試平臺(tái)的雜散電感對(duì)IGBT器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試結(jié)果有很大的影響。提出采用積分法計(jì)算測(cè)試平臺(tái)回路雜散電感,可以提高計(jì)算結(jié)果的準(zhǔn)確性。首先,分析了IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試平臺(tái)雜散電感分布特點(diǎn),建立了等效電路模型。其次,分析了IGBT開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中的波形特點(diǎn)以及續(xù)流二極管(free-wheeling diode,FWD)反向恢復(fù)與正向恢復(fù)特性;提出開(kāi)通波形相對(duì)于關(guān)斷波形更有利于計(jì)算雜散電感。最后,建立了仿真電路模型與試驗(yàn)測(cè)試平臺(tái),仿真分析結(jié)果與試驗(yàn)測(cè)試結(jié)果相吻合,驗(yàn)證了分析的正確性。所提方法為IGBT動(dòng)態(tài)測(cè)試平臺(tái)雜散電感提取提供了一種簡(jiǎn)便而準(zhǔn)確的計(jì)算方法。

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【部分圖文】：

圖13IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試平臺(tái)Fig.13IGBTdynamictestplatform

大。但是，如果考慮到二極管的正向恢復(fù)特性(ud=30V)，同時(shí)在計(jì)算過(guò)程中還忽略了這個(gè)電壓值的存在，那么計(jì)算結(jié)果將會(huì)小于雜散電感的計(jì)算值。綜上分析得知，若能夠準(zhǔn)確測(cè)量IGBT開(kāi)關(guān)瞬態(tài)過(guò)程中IGBT器件和FWD芯片的電壓、電流波形，那么不論是利用開(kāi)通波形還是關(guān)斷波形，計(jì)算結(jié)果都是準(zhǔn)....

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