發(fā)布時間：2020-12-10 12:45

　　針對絕緣柵雙極晶體管(IGBT)在過電流關斷測試中被燒毀的問題,設計了三種不同的橫向電阻區(qū)結構。為了分析器件的失效機理,研究不同結構橫向電阻區(qū)對過電流關斷能力的影響,借助Sentaurus TCAD仿真工具構建了器件模型,模擬了器件的整個過電流關斷過程。對三種結構器件在過電流關斷過程中的內部關鍵物理參量的變化情況進行分析,發(fā)現(xiàn)不同長度的橫向電阻區(qū)對空穴的抽取效率不同,進而可以影響到電流密度分布。當電阻區(qū)增加到一定長度時,可以有效提升過電流關斷能力,避免器件燒毀失效。 

【文章來源】：微電子學. 2020年02期 第262-266+271頁 北大核心

【文章頁數(shù)】：6 頁

【文章目錄】：
0 引 言
1 器件的結構
2 仿真測試結果
    2.1 通態(tài)下橫向電阻區(qū)附近的空穴濃度與電流密度分布
    2.2 過電流關斷過程最高溫度變化及溫度分布
3 結果與分析
    3.1 器件空穴濃度和電流密度演變
    3.2 通態(tài)下橫向電阻區(qū)附近空穴濃度與電流密度分布
4 結 論


【參考文獻】：
期刊論文
[1]大功率IGBT模塊及驅動電路綜述[J]. 楊媛,文陽,李國玉.  高電壓技術. 2018(10)
[2]影響IGBT動態(tài)特性參數(shù)淺析[J]. 陳喻.  科技與創(chuàng)新. 2018(14)
[3]主結邊緣電阻區(qū)對高壓功率快恢復二極管特性的影響[J]. 吳郁,俞敏鋒,郭晨,金銳,崔磊.  北京工業(yè)大學學報. 2018(02)
[4]1200V溝槽柵/平面柵場截止型IGBT短路耐量特性研究[J]. 陳天,楊曉鸞,季順黃.  固體電子學研究與進展. 2014(02)



本文編號：2908716