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長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基APD作用熱學(xué)仿真研究

發(fā)布時(shí)間:2020-12-08 22:18
  長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基APD相互作用會(huì)引起溫度的變化,同時(shí),在外置偏壓時(shí),不僅要考慮入射激光基于在線硅基APD探測(cè)器吸收而直接形成熱能,還要考慮入射激光發(fā)生光電轉(zhuǎn)換效應(yīng),結(jié)合在線硅基APD光電探測(cè)器的內(nèi)部電場(chǎng)作用,形成光生電動(dòng)勢(shì)與光生電流,由電場(chǎng)對(duì)在線硅基APD探測(cè)器內(nèi)部所做的功而間接形成熱能。本論文通過理論和仿真研究了長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基APD作用熱學(xué)模型,分析了長(zhǎng)脈沖激光與零偏電壓和外置偏壓不同條件的在線硅基APD作用的熱學(xué)作用效果之間的關(guān)系,并實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了熱學(xué)模型的合理性。建立了長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基APD作用熱學(xué)模型。在零偏電壓時(shí)長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基APD作用熱學(xué)模型中,只考慮激光熱源項(xiàng),實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的理論分析,并利用能量守恒理論對(duì)激光平均能量與峰值能量之間的轉(zhuǎn)換問題進(jìn)行處理;在外置偏壓時(shí)長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基APD作用熱學(xué)模型中,考慮激光熱源項(xiàng)和焦耳熱源項(xiàng),實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的理論分析,對(duì)脈沖激光作用過程中在線硅基APD峰值溫度隨外置偏壓的增加而增加且略高于零偏電壓時(shí)的峰值溫度,以及脈沖激光作用結(jié)束后在線硅基APD退溫時(shí)間遠(yuǎn)遠(yuǎn)大于零偏電壓時(shí)的退溫時(shí)間的現(xiàn)象給出了合理的解釋。開展了長(zhǎng)脈沖激光與在... 

【文章來源】:長(zhǎng)春理工大學(xué)吉林省

【文章頁(yè)數(shù)】:65 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【部分圖文】:

長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基APD作用熱學(xué)仿真研究


飛秒激光輻照硅基PIN探測(cè)器試驗(yàn)示意圖

激光輻照,探測(cè)器,實(shí)驗(yàn)裝置圖


并得出膠層熱導(dǎo)率厚度對(duì)損傷閾值和熱恢復(fù)時(shí)間在相同輻照時(shí)響。008 年中國(guó)科學(xué)院曹延名[16-18]等人,通過使用 MEDICI 軟件,仿真設(shè)計(jì)單的單光子探測(cè)器。同時(shí)也通過離化積分對(duì)反偏電壓下的探測(cè)器的電真。分析了不同區(qū)域摻雜濃度和厚度對(duì)光電流的影響。010 年長(zhǎng)春理工大學(xué)的徐立君[19]等人針對(duì)激光損傷光電探測(cè)器后,導(dǎo)致現(xiàn)象,設(shè)計(jì)了一套實(shí)時(shí)測(cè)量探測(cè)器響應(yīng)度的裝置。如圖 1.2 所示,裝激光器作為參考光,作用激光為1064nm的Nd:YAG激光器,脈沖寬度能量可達(dá) 1J。激光經(jīng)過衰減片衰減后,通過分光鏡照射在探測(cè)器表面監(jiān)測(cè)激光能量。探測(cè)器與檢流計(jì)通過導(dǎo)線相連,可記錄實(shí)驗(yàn)過程中的流,并通過大量的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到探測(cè)器的飽和閾值、損傷閾值。

硅基,軸對(duì)稱模型,二維


空穴壽命 τps 10×10-6電子擴(kuò)散系數(shù) Dncm-2s-1μnkT/q空穴擴(kuò)散系數(shù) Dpcm-2s-1μpkT/q耗盡層厚度 WDm 3x1063.1.2 長(zhǎng)脈沖激光與在線硅基 APD 作用的熱學(xué)仿真網(wǎng)格剖分如圖 3.1 所示,由于硅基 APD 內(nèi)部十分復(fù)雜,基于硅基 APD 的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),將硅基 APD 探測(cè)器簡(jiǎn)化為二維軸對(duì)稱模型,從而大大減少網(wǎng)格的剖分時(shí)間及計(jì)算過程的復(fù)雜度。如圖 3.1 a)所示,為硅基 APD 二維軸對(duì)稱模型,硅基 APD 的幾何參數(shù)由表 3.1 給出,物性參數(shù)由表 3.2 給出。其中 R1 為雪崩區(qū) P 區(qū),R2 為保護(hù)環(huán) N+區(qū),R3 為截止環(huán) P+區(qū),R4 為吸收區(qū) π,R5 為歐姆接觸區(qū) P+,R6 為光敏區(qū) N+,R7 為增透層 Si3N4。如圖 3.1 b)所示,是將 R6,R7 結(jié)構(gòu)的放大圖。圖 3.2 為硅基 APD 二維軸對(duì)稱模型的三角網(wǎng)格剖分圖。

【參考文獻(xiàn)】:
期刊論文
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[10]強(qiáng)激光輻照下光電探測(cè)器響應(yīng)性能的研究[J]. 徐立君,蔡紅星,李昌立,畢娟,金光勇,張喜和.  應(yīng)用光學(xué). 2010(06)

博士論文
[1]長(zhǎng)脈沖激光輻照硅基APD光電探測(cè)器研究[D]. 王頔.長(zhǎng)春理工大學(xué) 2018

碩士論文
[1]新型臺(tái)面結(jié)構(gòu)硅基雪崩光電二極管的研究[D]. 崔文凱.北京工業(yè)大學(xué) 2014
[2]Si基微元APD雪崩增益與結(jié)構(gòu)參數(shù)優(yōu)化的研究[D]. 顧懷奇.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2012
[3]強(qiáng)激光對(duì)材料熱損傷的有限元法研究[D]. 劉全喜.四川大學(xué) 2007



本文編號(hào):2905778

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