InZnO基雙有源層TFT的研制
發(fā)布時(shí)間：2020-12-08 14:12
近年來(lái),金屬氧化物薄膜晶體管（Thin Film Transistor,TFT）作為TFT-LCD和AMOLED的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān),以其較高的遷移率,大面積均勻性,可見(jiàn)光范圍內(nèi)透光率高得到了越來(lái)越多的關(guān)注。研究者們對(duì)InZnO（IZO）基TFT進(jìn)行了廣泛的研究,其中IZO:N TFT和IZO:Li TFT的遷移率可分別高達(dá)39.3 cm2V-1S-1和80.4 cm2V-1s·-1,但它們的退火溫度都高達(dá)950°C。過(guò)高的退火溫度使得制備成本太高不利于工業(yè)生產(chǎn)。為了降低制備IZO基TFT的退火溫度,我們嘗試制備IZO基雙有源層TFT。與探尋新有源層材料相比,改變TFT的有源層結(jié)構(gòu)是一種具有戰(zhàn)略意義和實(shí)用價(jià)值的方法。主要研究工作如下:1、在氧氣氣氛中退火溫度為120℃的條件下,用磁控濺射的方法制備了雙有源層IZO:Li/InZnSnO（IZTO）TFT,分別研究了雙有源層結(jié)構(gòu)中靠近柵絕緣層的下層IZO:Li薄膜厚度和靠近源漏鋁電極的上層IZTO薄膜厚度對(duì)IZO:Li/IZTO TFT電學(xué)性能的影響。2、用磁控濺射的方法制備了 IZO:N/IZTO TFT。首先,在退火氣氛為氧氣的條件下,研究了...
【文章來(lái)源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】：53 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
圖１－２?ＴＦＴ－ＬＣＤ亞像素等效電路原理圖??Ｆｉｇｕｒｅ?１－２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｓｕｂｐｉｘｅｌ?ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｏｆ?ＴＦＴ－ＬＣＤ??
圖２－１雙有源層ｌＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯＴＦＴ的結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇｕｒｅ?２－１?Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｄｏｕｂｌｅ?ａｃｔｉｖｅ?ｌａｙｅｒ?�。冢希海蹋椋欤冢裕�?ＴＦＴ??雙有源層ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ的結(jié)構(gòu)如圖２－１所示。首先使用射頻磁控派射在??Ｓｉ０２／ｐ－Ｓｉ襯底上沉積ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜，其次使用恒溫程式管式爐對(duì)石英管中的??ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜樣品在氧氣氣氛下進(jìn)行１２０?°Ｃ的退火處理。退火３０?ｍｉｎ后再用真??空蒸鍍的方法給ＩＺＯ：Ｕ／ＩＺＴＯ薄膜樣品鍍Ａ１電極。將制備完成的ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ??使用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ?ＳＣＳ－４２００半導(dǎo)體性能測(cè)試儀對(duì)其性能進(jìn)行測(cè)試。詳細(xì)的制備過(guò)程如??下：??（１）襯底的選擇與清洗??本論文中使用ｐ－Ｓｉ?（ｐ＜０．０ｉｎ?ｃｍ）作為ＴＦＴ的襯底，在襯底上通過(guò)熱氧化生??成一層２００?ｎｍ的Ｓｉ０２作為ＴＦＴ的絕緣層。在濺射沉積有源層之前，先對(duì)切割好的??９??
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【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]金屬氧化物薄膜晶體管最新研究進(jìn)展[J]. 王春蘭,李玉慶,韓莎,姚奇,高博. 紡織高�；A(chǔ)科學(xué)學(xué)報(bào). 2018(04)
博士論文
[1]新型金屬氧化物薄膜晶體管的性能研究及工藝開(kāi)發(fā)[D]. 羅東向.華南理工大學(xué) 2014
碩士論文
[1]IGZO薄膜性能的研究及改善[D]. 湯猛.江南大學(xué) 2017
[2]金屬氧化物薄膜和晶體管的制備與性能研究[D]. 譚惠月.青島大學(xué) 2015
本文編號(hào)：2905219
【文章來(lái)源】：北京交通大學(xué)北京市 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁(yè)數(shù)】：53 頁(yè)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【部分圖文】：
圖１－２?ＴＦＴ－ＬＣＤ亞像素等效電路原理圖??Ｆｉｇｕｒｅ?１－２?Ｓｃｈｅｍａｔｉｃ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｓｕｂｐｉｘｅｌ?ｅｑｕｉｖａｌｅｎｔ?ｃｉｒｃｕｉｔ?ｏｆ?ＴＦＴ－ＬＣＤ??
圖２－１雙有源層ｌＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯＴＦＴ的結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇｕｒｅ?２－１?Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｄｏｕｂｌｅ?ａｃｔｉｖｅ?ｌａｙｅｒ?�。冢希海蹋椋欤冢裕�?ＴＦＴ??雙有源層ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ的結(jié)構(gòu)如圖２－１所示。首先使用射頻磁控派射在??Ｓｉ０２／ｐ－Ｓｉ襯底上沉積ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜，其次使用恒溫程式管式爐對(duì)石英管中的??ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜樣品在氧氣氣氛下進(jìn)行１２０?°Ｃ的退火處理。退火３０?ｍｉｎ后再用真??空蒸鍍的方法給ＩＺＯ：Ｕ／ＩＺＴＯ薄膜樣品鍍Ａ１電極。將制備完成的ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ??使用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ?ＳＣＳ－４２００半導(dǎo)體性能測(cè)試儀對(duì)其性能進(jìn)行測(cè)試。詳細(xì)的制備過(guò)程如??下：??（１）襯底的選擇與清洗??本論文中使用ｐ－Ｓｉ?（ｐ＜０．０ｉｎ?ｃｍ）作為ＴＦＴ的襯底，在襯底上通過(guò)熱氧化生??成一層２００?ｎｍ的Ｓｉ０２作為ＴＦＴ的絕緣層。在濺射沉積有源層之前，先對(duì)切割好的??９??
ｐ?＾＞Ｘ??卜二‘二久，??圖２－１雙有源層ｌＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯＴＦＴ的結(jié)構(gòu)示意圖??Ｆｉｇｕｒｅ?２－１?Ｓｔｒｕｃｔｕｒａｌ?ｄｉａｇｒａｍ?ｏｆ?ｔｈｅ?ｄｏｕｂｌｅ?ａｃｔｉｖｅ?ｌａｙｅｒ?�。冢希海蹋椋欤冢裕�?ＴＦＴ??雙有源層ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ的結(jié)構(gòu)如圖２－１所示。首先使用射頻磁控派射在??Ｓｉ０２／ｐ－Ｓｉ襯底上沉積ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜，其次使用恒溫程式管式爐對(duì)石英管中的??ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ薄膜樣品在氧氣氣氛下進(jìn)行１２０?°Ｃ的退火處理。退火３０?ｍｉｎ后再用真??空蒸鍍的方法給ＩＺＯ：Ｕ／ＩＺＴＯ薄膜樣品鍍Ａ１電極。將制備完成的ＩＺＯ：Ｌｉ／ＩＺＴＯ?ＴＦＴ??使用Ｋｅｉｔｈｌｅｙ?ＳＣＳ－４２００半導(dǎo)體性能測(cè)試儀對(duì)其性能進(jìn)行測(cè)試。詳細(xì)的制備過(guò)程如??下：??（１）襯底的選擇與清洗??本論文中使用ｐ－Ｓｉ?（ｐ＜０．０ｉｎ?ｃｍ）作為ＴＦＴ的襯底，在襯底上通過(guò)熱氧化生??成一層２００?ｎｍ的Ｓｉ０２作為ＴＦＴ的絕緣層。在濺射沉積有源層之前，先對(duì)切割好的??９??
【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]金屬氧化物薄膜晶體管最新研究進(jìn)展[J]. 王春蘭,李玉慶,韓莎,姚奇,高博. 紡織高�；A(chǔ)科學(xué)學(xué)報(bào). 2018(04)
博士論文
[1]新型金屬氧化物薄膜晶體管的性能研究及工藝開(kāi)發(fā)[D]. 羅東向.華南理工大學(xué) 2014
碩士論文
[1]IGZO薄膜性能的研究及改善[D]. 湯猛.江南大學(xué) 2017
[2]金屬氧化物薄膜和晶體管的制備與性能研究[D]. 譚惠月.青島大學(xué) 2015
本文編號(hào)：2905219
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