有機光敏場效應管（photoresponsive organic field-effect transistors,photOFETs）屬于有機場效應管（organic field-effect transistors,OFETs）,是OFET中的重要分支,將光信號轉化為電信號,可廣泛應用于光敏傳感與光敏成像等相關領域。目前對于光敏場效應管的物理模型研究并不充分,本文工作即針對單層PbPc（酞菁鉛）、TiOPc（酞菁氧鈦）photOFET開展了物理模型的建立與應用研究,主要工作內容與結論如下:基于底柵頂接觸,制備的單層PbPc、TiOPc photOFET,并且測試了其在808nm下,不同柵壓下電學特性,同時分析了不同光照強度下光生電流的變化情況,計算其黑暗與光照下的閾值電壓與載流子遷移率。分別研究了基于太陽能電池、光敏二極管的光生電流模型,結合無機光敏晶體管推導出適用于光敏有機場效應晶體管的光生電流模型,對于飽和區(qū)的光生電流模型進行修正并用Matlab擬合其參數(shù),實現(xiàn)了對PbPc、TiOPc photOFET不同柵壓下不同入射光強度下的擬合,擬合數(shù)據(jù)與實驗數(shù)據(jù)非常接近。從擬合結果中看... 

【文章來源】：中國計量大學浙江省

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

第一支真正意義上的photOFET結構

(b) (d)圖 2.1 單柵器件結構 （a）底柵頂結構 （b）底柵底結構 （c）頂柵頂結構 （d）頂柵底結構2.1.2 雙柵結構所謂雙柵結構就是對于一個器件來說，同時存在兩個柵電極控制溝道的形成。雙柵結構的好處在于在有機半導體層柵極對載流子較好的調制作用。在 198年，基于無機半導體的雙柵薄膜場效應晶體管首次被 Luo 等人提出[24]。隨后 198年以及 1992 年，Tuan 以及 Kaneko 等人分別對于氫化非晶硅的雙柵場效應晶體管進行了報道。在 2005 年，Cui 和 Liang 等人首次將雙柵結構應用于并五苯photOFET。雙柵結構如圖 2.2 所示，具有底部柵電極、底柵絕緣層、有機半導體層、源漏電極、頂柵絕緣層以及頂部柵電極。底部柵電極的作用是在溝道中實現(xiàn)載流子的積累，頂部柵電極施加電壓增加溝道電導率。因此，閾值電壓可以依靠額外的電壓控制，但是這需要額外的柵極材料以及額外的制備工藝步驟。雙柵結

圖 2.2 雙柵結構的 photOFETs制備了基于 PDPP-TNT 為有機半導體層的電壓更低、產生的漏源電流更大，比單柵模Liang 等人制備的雙柵結構的晶體管產生的，亞閾值斜率增加了 35%。FETs 的開關電流比更大，尤其是對關電流望用這種結構實現(xiàn)新型的電路，實現(xiàn)環(huán)形振，故這種結構更適用于顯示器件的應用。也是一種單柵控制結構，但是由于導電溝道其傳輸性能將會優(yōu)于傳統(tǒng)的單柵結構。photO態(tài)、載流子遷移率以及較長的溝道等條件影術實現(xiàn)短溝道長度。因此，降低驅動電壓又


本文編號：2905069