單壁碳納米管薄膜作為一種二維結構材料,以其優(yōu)異的化學、力學以及電學等性能在薄膜場效應晶體管和傳感器等方面具有巨大的應用前景。碳納米管薄膜的均勻性、密度和相貌會對器件的性能具有決定性影響,如何提高薄膜器件性能的一致性是后續(xù)邏輯電路集成的重要前提。本論文利用溶液法沉積了高質量的半導體性碳納米管薄膜,構建了大規(guī)模、高性能的薄膜場效應晶體管陣列,提升了器件制備過程的可重復性,并對薄膜器件的電流轉移滯回特性進行了研究分析。主要研究內容如下:對溶液法沉積碳納米管薄膜的實驗參數做了改進,實現了不同密度碳納米管薄膜在Si/SiO₂基底上的均勻沉積;研究了碳納米管的密度和形貌對薄膜方塊電阻的影響規(guī)律。選擇了三種不同密度的半導體性碳納米管薄膜作為導電溝道層,利用紫外光刻技術制備了大規(guī)模的碳納米管薄膜場效應晶體管陣列,對比研究了碳管密度對薄膜晶體管電流轉移特性及輸出特性的影響,通過大批量測試分析研究了器件性能的一致性及制備過程的可重復性。研究結果表明,密度適中的碳納米管薄膜能夠用于構建大規(guī)模、高性能、可重復性良好的晶體管器件陣列。研究了柵極電壓掃描范圍、掃描速率以及氣氛條件對薄膜器件電... 

【文章來源】：燕山大學河北省

【文章頁數】：68 頁

【學位級別】：碩士

【部分圖文】：

碳的同素異形體：富勒烯[1]

碳納米管卷曲六方晶格

燕山大學工學碩士學位論文學、化學和力學等性質得到了充分發(fā)揮。特的電子特性使其在半導體器件領域具有性很大程度上依賴于它的手性矢量 Ch，即納米管約占三分之一左右（m = n 或 n-m 為之二。半導體性碳納米管是一種理想的器射長達數百納米，其載流子具有較長的平形成彈道自由輸運[7]；其次，室溫下半導體00 cm2V-1s-1[8,9]；最后，其納米尺度的管徑的溝道寬度下滿足柵極對器件的場效應控


本文編號：2904524