中国韩国日本在线观看免费,A级尤物一区,日韩精品一二三区无码,欧美日韩少妇色

當前位置:主頁 > 科技論文 > 電子信息論文 >

小型化X頻段固態(tài)放大器設計

發(fā)布時間:2018-10-04 21:28
【摘要】:固態(tài)功率放大器與電子管放大器相比,具有可靠性高、長壽命、工作電壓低等優(yōu)點。近年來,各個頻段(L、S、C、X)的固態(tài)功率放大器已得到廣泛的應用;在數(shù)傳遙感應用領域,一般要求固態(tài)放大器工作在X頻段,除輸出功率等電性能指標要求外,對放大器的重量、體積、散熱等都有很高的要求,因此,研究小型化的固態(tài)放大器具有非常重要的意義。目前,X頻段固態(tài)功率放大器采用的功率管主要是Ga As FET功率管,本文從基本原理出發(fā),首先介紹了固態(tài)功率放大器的基本理論,然后詳細介紹了功率放大器的設計方法以及注意事項。在此基礎上,設計了一款彈載小型化固態(tài)功率放大器;采用熱分析軟件對功率元器件以及整機進行了熱分析,計算結果表明在放大器額定工作10分鐘后,場效應管節(jié)溫小于150度。最后通過測試,設計的功率放大器在9~9.5GHz頻率范圍內輸出功率大于9W,整機附加效率大于25%。
[Abstract]:Compared with the tube amplifier, the solid-state power amplifier has the advantages of high reliability, long life and low working voltage. In recent years, solid-state power amplifiers of various frequency bands (LPS-CX) have been widely used. In the field of digital remote sensing applications, solid-state amplifiers are generally required to work in X-band, except for the output power and other electrical performance requirements, and the weight of the amplifiers. Therefore, it is very important to study miniaturized solid-state amplifiers. At present, the main power transistor used in X-band solid-state power amplifier is Ga As FET power transistor. In this paper, the basic theory of solid-state power amplifier is introduced based on the basic principle. Then the design method of power amplifier and points for attention are introduced in detail. On the basis of this, a miniaturized solid-state power amplifier is designed, and the thermal analysis of the power components and the whole machine is carried out by using the thermal analysis software. The calculation results show that the amplifier has been rated for 10 minutes. The section temperature of the field effect tube is less than 150 degrees. Finally, through the test, the output power of the power amplifier in the 9~9.5GHz frequency range is more than 9 W, the additional efficiency of the whole machine is more than 25.
【學位授予單位】:電子科技大學
【學位級別】:碩士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TN722.75

【相似文獻】

相關期刊論文 前10條

1 新井晃;袁櫓林;發(fā)燒軒主;;談談新井式放大器設計思想中的八項要點[J];電子制作;1995年02期

2 余為清;;6P14單端膽機放大器設計[J];音響技術;2006年09期

3 曹文亮;東方紅三號測控放大器設計[J];空間電子技術;1994年03期

4 樊寶元;許國順;陳正平;;放大器設計實驗研究[J];陰山學刊(自然科學);2012年03期

5 大禹;;靚聲千條道 唯有簡潔高——談放大器設計與制作問題[J];實用電子文摘;1994年02期

6 Dave Brotton;數(shù)字音頻放大器設計需要考慮的因素[J];電子產品世界;2003年20期

7 黎職富;肖昌炎;彭楚武;;工程機械新型電液比例閥放大器設計[J];微計算機信息;2008年14期

8 羅運先;吳雄英;曾敬;郭大江;;七階型瞬時浮點增益放大器設計探討[J];電氣電子教學學報;2006年06期

9 曾孝平;魏雙臨;熊東;楊學敏;王峰;;簡單導聯(lián)胎兒心電信號提取的程控放大器設計[J];信息與電子工程;2010年06期

10 ;用第三個放大器校正相位改善雙放大器設計[J];中國電子商情(基礎電子);2011年07期

相關會議論文 前2條

1 李建峰;竇建華;潘敏;應雋;;基于正向體效應技術的低壓低功耗CMOS放大器設計[A];全國第20屆計算機技術與應用學術會議(CACIS·2009)暨全國第1屆安全關鍵技術與應用學術會議論文集(下冊)[C];2009年

2 湯晶;蔣湘;王麗芳;;突發(fā)模式跨阻抗放大器設計[A];中國通信集成電路技術與應用研討會文集[C];2006年

相關碩士學位論文 前5條

1 林超;小型化X頻段固態(tài)放大器設計[D];電子科技大學;2016年

2 張一平;深亞微米靈敏放大器設計[D];蘇州大學;2008年

3 趙妍;基于GaN單片微波集成功率放大器設計[D];西安電子科技大學;2010年

4 李剛;基于0.5μm CMOS工藝低壓多級放大器設計[D];西安電子科技大學;2008年

5 魏濤;X波段GaN基功率放大器設計[D];電子科技大學;2012年

,

本文編號:2251938

資料下載
論文發(fā)表

本文鏈接:http://www.lk138.cn/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2251938.html


Copyright(c)文論論文網All Rights Reserved | 網站地圖 |

版權申明:資料由用戶7a5ac***提供,本站僅收錄摘要或目錄,作者需要刪除請E-mail郵箱bigeng88@qq.com