發(fā)布時間：2018-09-19 18:54

【摘要】：設計了一種采用Ga As p HEMT管芯的小型化寬帶超低噪聲放大器,利用ADS微波仿真軟件進行原理圖設計、優(yōu)化。其中管芯采用單電源加電,避免了雙電源輸入端隔直電容對噪聲的引入;另外,電路結構采用電阻負反饋拓展了帶寬,同時也增加了電路的穩(wěn)定性,實現(xiàn)較好的輸入輸出匹配特性。設計的低噪放在7GHz—10GHz頻率范圍內(nèi)噪聲系數(shù)小于0.7d B,增益大于30d B,輸入輸出回波損耗小于-10d B。低噪聲放大器的尺寸僅為23mm×18mm×10mm。
[Abstract]:A miniaturized wideband ultra-low noise amplifier (ULNA) with Ga As p HEMT core is designed and optimized by ADS microwave simulation software. The tube core is powered up by a single power supply, which avoids the introduction of noise by the direct capacitance at the input end of the double power supply. In addition, the circuit structure uses resistive negative feedback to expand the bandwidth and at the same time increases the stability of the circuit. To achieve better input and output matching characteristics. The designed low noise is placed in the 7GHz-10GHz frequency range with the noise coefficient less than 0.7 dB, the gain greater than 30 dB, and the input and output echo loss less than -10 dB. The size of LNA is only 23mm 脳 18mm 脳 10mm.
【作者單位】： 中國電子科技集團公司超導電子技術重點實驗室;中國電子科技集團公司第十六研究所;
【分類號】：TN722.3

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本文編號：2251019