【摘要】：單粒子瞬態(tài)脈沖寬度是評(píng)價(jià)電子系統(tǒng)軟錯(cuò)誤率的重要參數(shù)之一。針對(duì)0.13μm、部分耗盡型絕緣體上硅(PDSOI)工藝下的反相器鏈,解析地計(jì)算了反相器中產(chǎn)生的單粒子瞬態(tài)脈沖寬度,仿真了產(chǎn)生的單粒子瞬態(tài)脈沖在反相器鏈中傳播時(shí)的臨界脈沖寬度和傳輸率隨級(jí)數(shù)變化情況。仿真結(jié)果表明,單粒子瞬態(tài)脈沖寬度的大小在幾十皮秒到幾百皮秒之間,反相器鏈的級(jí)數(shù)對(duì)臨界脈沖寬度和傳輸率影響較大。最后仿真得到在輸入單粒子瞬態(tài)脈沖寬度較小時(shí),建立保持時(shí)間與輸入脈沖寬度有關(guān)。該結(jié)果有利于電氣掩蔽建模和鎖存掩蔽建模準(zhǔn)確性的提高。
[Abstract]:The single particle transient pulse width is one of the important parameters to evaluate the soft error rate of electronic system. The transient pulse width of a single particle in a 0.13 渭 m partially depleted insulator with silicon (PDSOI) process is calculated analytically. The critical pulse width and transmission rate of the single particle transient pulse propagating in the inverter chain are simulated. The simulation results show that the single particle transient pulse width ranges from several tens of picoseconds to several hundred picoseconds, and the series of the inverter chain have great influence on the critical pulse width and transmission rate. The simulation results show that the transient pulse width of the input single particle is small, and the establishment retention time is related to the input pulse width. The results are helpful to improve the accuracy of electrical masking modeling and latch masking modeling.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(面上項(xiàng)目、重點(diǎn)項(xiàng)目、重大項(xiàng)目)(61176095;61404169)
【分類號(hào)】：TN78

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本文編號(hào)：2244937