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基于植球工藝的電路隔離度仿真設計

發(fā)布時間:2018-09-12 06:19
【摘要】:用電磁仿真軟件HFSS模擬仿真了植球工藝下電路的隔離度。以平行耦合線為基本模型,分別討論了在耦合線間植一排焊球、在耦合線兩側(cè)植焊球、在耦合線間植雙排焊球以及密繞耦合線植球四種植球模型下耦合線的隔離度。仿真結(jié)果表明耦合線的隔離度主要受球徑、球間距的影響,而與焊球重心高度、球中心水平方向小范圍偏移以及板間距關(guān)系不大。球半徑0.4mm,球邊緣距離0.5mm,密繞植球模型耦合線隔離度在DC~8.4GHz最好,大于54d B。對于工作在10GHz以下的電路,用第二和第三種植球模型就可以滿足電路隔離度性能。為了滿足工作頻率高達20GHz電路的隔離度,密繞植球模型是最好的選擇。
[Abstract]:The isolation degree of the circuit is simulated by electromagnetic simulation software HFSS. Taking the parallel coupling wire as the basic model, the isolation degree of the coupling wire is discussed under the models of a row of solder balls planted between the coupling lines, two rows of soldering balls on both sides of the coupling lines, and four planting balls of the dense coiled coupling wires on the two sides of the coupling lines. The simulation results show that the isolation of the coupling line is mainly affected by the ball diameter and the ball spacing, but not by the height of the center of gravity of the welded ball, the small offset of the horizontal direction of the ball center and the plate spacing. The spherical radius is 0.4mm, the distance of the ball edge is 0.5mm, and the coupling line isolation of the close-wound spherical model is the best in DC~8.4GHz, which is greater than 54dB. For circuits operating below 10GHz, the isolation performance of the circuits can be satisfied by using the second and third implant ball models. In order to satisfy the isolation of 20GHz circuits with high operating frequency, the best choice is the close-wound sphere model.
【作者單位】: 中國電子科技集團公司第三十六研究所;
【分類號】:TN405

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