發(fā)布時(shí)間：2018-09-09 13:05

【摘要】：系統(tǒng)地介紹了極端低溫下SiGe HBT器件的研究進(jìn)展。在器件級(jí),分析了能帶工程對(duì)SiGe HBT器件特性的影響,分析了極端低溫下器件的直流、交流、噪聲特性的變化,以及器件的特殊現(xiàn)象。在電路級(jí),分析了基于SiGe HBT的運(yùn)算放大器、低噪聲放大器和電壓基準(zhǔn)源電路的低溫工作特性。研究結(jié)果表明,SiGe HBT器件在低溫微電子應(yīng)用中具有巨大潛力。
[Abstract]:The research progress of SiGe HBT devices at extreme low temperature is introduced systematically. At the device level, the influence of energy band engineering on the characteristics of SiGe HBT devices is analyzed. The DC, AC, noise characteristics and special phenomena of the devices are analyzed at very low temperature. At the circuit level, the low temperature operating characteristics of operational amplifier, low noise amplifier and voltage reference circuit based on SiGe HBT are analyzed. The results show that SiGe HBT devices have great potential in low temperature microelectronics applications.
【作者單位】： 中國(guó)科學(xué)院微電子研究所;中國(guó)科學(xué)院硅器件與技術(shù)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;中國(guó)科學(xué)院大學(xué)微電子學(xué)院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金資助項(xiàng)目(61404161)
【分類號(hào)】：TN322.8

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