【摘要】：系統(tǒng)地介紹了極端低溫下SiGe HBT器件的研究進展。在器件級,分析了能帶工程對SiGe HBT器件特性的影響,分析了極端低溫下器件的直流、交流、噪聲特性的變化,以及器件的特殊現(xiàn)象。在電路級,分析了基于SiGe HBT的運算放大器、低噪聲放大器和電壓基準源電路的低溫工作特性。研究結果表明,SiGe HBT器件在低溫微電子應用中具有巨大潛力。
[Abstract]:The research progress of SiGe HBT devices at extreme low temperature is introduced systematically. At the device level, the influence of energy band engineering on the characteristics of SiGe HBT devices is analyzed. The DC, AC, noise characteristics and special phenomena of the devices are analyzed at very low temperature. At the circuit level, the low temperature operating characteristics of operational amplifier, low noise amplifier and voltage reference circuit based on SiGe HBT are analyzed. The results show that SiGe HBT devices have great potential in low temperature microelectronics applications.
【作者單位】： 中國科學院微電子研究所;中國科學院硅器件與技術重點實驗室;中國科學院大學微電子學院;
【基金】：國家自然科學基金資助項目(61404161)
【分類號】：TN322.8

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