EMMI故障定位和基于故障樹的GaAs MMIC失效分析
[Abstract]:Firstly, the failure mode and failure mechanism of a 6-bit numerical control attenuator are analyzed by fault tree. The top event of the fault tree 2dB attenuating state turnover velocity anomaly is divided into four sub-events: switch tube ESD damage, driving signal anomaly, attenuation resistance anomaly, control end resistance anomaly, It is concluded that the most abnormal turnover speed may be caused by the RC delay caused by the excessive resistance at the control end, which leads to the turn-off or turn-on delay fault. Then the fault point is determined by LLL microscope and laser induced impedance change rate, which provides the basis for the analysis results.
【作者單位】: 微波毫米波單片集成和模塊電路重點實驗室;南京電子器件研究所;
【分類號】:TN715
【相似文獻】
相關(guān)期刊論文 前10條
1 杞居意;;整機所開展電子器件現(xiàn)場失效分析的意義[J];電訊技術(shù);1987年02期
2 鄭鵬洲;失效分析是提高元器件可靠性的關(guān)鍵工作——紀念航空航天部半導(dǎo)體器件失效分析中心成立四周年[J];微電子學(xué)與計算機;1991年10期
3 張安康 ,周旭東;硅堆的可靠性及其失效分析[J];電子器件;1993年03期
4 吳文章;C型掃描聲學(xué)顯微鏡在功率管失效分析中的應(yīng)用[J];電子產(chǎn)品可靠性與環(huán)境試驗;1997年06期
5 唐民,張素娟;先進成像技術(shù)在失效分析中的應(yīng)用[J];半導(dǎo)體技術(shù);2001年02期
6 寧葉香;潘開林;李逆;;電子組裝中焊點的失效分析[J];電子工業(yè)專用設(shè)備;2007年09期
7 杞居意 ,李華明;視頻延遲線失效分析[J];電訊技術(shù);1983年03期
8 侯翠群;;厚膜混合集成電路的失效分析及其缺陷產(chǎn)品的篩選淘汰[J];集成電路通訊;2006年01期
9 Arthur Chiang;David Le;;對使用銅絲鍵合的功率MOSFET進行失效分析[J];電子產(chǎn)品世界;2013年08期
10 彭自安;吳常津;;集成電路功能測試和失效分析中的電子束檢測技術(shù)[J];真空電子技術(shù);1986年01期
相關(guān)會議論文 前5條
1 ;西安微電子技術(shù)研究所失效分析中心[A];陜西省第四屆理化實驗室主任會議論文集[C];2011年
2 林曉玲;費慶宇;師謙;肖慶中;;IC失效分析中電測技術(shù)及其應(yīng)用研究[A];第十一屆全國可靠性物理學(xué)術(shù)討論會論文集[C];2005年
3 林厚軍;張洪軍;;54HCO4電路失效分析研究[A];第五屆華北、東北地區(qū)理化會議論文集[C];1993年
4 何秀坤;汝瓊娜;張建輝;;付里葉變換紅外光譜技術(shù)在電子元器件失效分析中的應(yīng)用[A];中國電子學(xué)會生產(chǎn)技術(shù)學(xué)分會理化分析專業(yè)委員會第六屆年會論文集[C];1999年
5 盛旦初;王建農(nóng);王鳳蓮;陸珉華;都安彥;褚一鳴;;CMOS LSI電路失效分析的XTEM技術(shù)[A];第四次全國電子顯微學(xué)會議論文摘要集[C];1986年
相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條
1 吳春蕾;集成電路失效分析中缺陷快速精確定位技術(shù)及實驗研究[D];天津大學(xué);2015年
相關(guān)碩士學(xué)位論文 前10條
1 李阿玲;失效分析技術(shù)應(yīng)用研究[D];復(fù)旦大學(xué);2014年
2 柯遙;基于電性測試的SRAM單元失效工程分析[D];復(fù)旦大學(xué);2013年
3 脫窮;電源芯片漏電流失效分析及良率提升研究[D];大連理工大學(xué);2015年
4 時俊亮;溝槽柵MOSFET芯片級失效分析的研究[D];復(fù)旦大學(xué);2013年
5 高\,
本文編號:2227483
本文鏈接:http://www.lk138.cn/kejilunwen/dianzigongchenglunwen/2227483.html