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EMMI故障定位和基于故障樹的GaAs MMIC失效分析

發(fā)布時(shí)間:2018-09-07 06:34
【摘要】:首先通過(guò)故障樹的方式,分析了某6位數(shù)控衰減器衰減態(tài)翻轉(zhuǎn)速度異常的失效模式和失效機(jī)理。把故障樹的頂事件2dB衰減態(tài)翻轉(zhuǎn)速度異常分為開關(guān)管ESD損傷、驅(qū)動(dòng)信號(hào)異常、衰減電阻異常、控制端電阻異常4個(gè)子事件,經(jīng)過(guò)分析得出翻轉(zhuǎn)速度異常最大可能是由于控制端電阻過(guò)大引發(fā)RC延遲現(xiàn)象,進(jìn)而導(dǎo)致關(guān)斷或開啟延遲故障。然后通過(guò)微光顯微鏡和激光感應(yīng)阻抗變化率對(duì)故障件進(jìn)行故障定位確定了故障點(diǎn),為分析結(jié)果提供了依據(jù)。
[Abstract]:Firstly, the failure mode and failure mechanism of a 6-bit numerical control attenuator are analyzed by fault tree. The top event of the fault tree 2dB attenuating state turnover velocity anomaly is divided into four sub-events: switch tube ESD damage, driving signal anomaly, attenuation resistance anomaly, control end resistance anomaly, It is concluded that the most abnormal turnover speed may be caused by the RC delay caused by the excessive resistance at the control end, which leads to the turn-off or turn-on delay fault. Then the fault point is determined by LLL microscope and laser induced impedance change rate, which provides the basis for the analysis results.
【作者單位】: 微波毫米波單片集成和模塊電路重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;南京電子器件研究所;
【分類號(hào)】:TN715

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5 高\(yùn),

本文編號(hào):2227483


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