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基于輻射電磁波信號(hào)的瓷柱式斷路器弧觸頭狀態(tài)評(píng)估

發(fā)布時(shí)間:2025-02-11 20:07
   針對(duì)當(dāng)前瓷柱式斷路器弧觸頭狀態(tài)評(píng)估方法的不足,提出了一種基于瓷柱式斷路器帶電分閘過程中輻射的電磁波信號(hào)來評(píng)估其弧觸頭狀態(tài)的方法。介紹了方法的基本原理和檢測(cè)裝置,搭建了實(shí)驗(yàn)室模擬研究平臺(tái),研究了弧觸頭在不同燒蝕程度下斷路器分閘過程中輻射電磁波信號(hào)的特征,并在現(xiàn)場(chǎng)對(duì)變電站35 kV瓷柱式斷路器進(jìn)行檢測(cè)及解體對(duì)比。研究結(jié)果表明:燒蝕程度對(duì)分閘過程輻射電磁波信號(hào)有影響,燒蝕嚴(yán)重觸頭在分閘過程中輻射信號(hào)數(shù)量、峰值以及持續(xù)時(shí)間均大于輕微燒蝕觸頭輻射信號(hào)。利用斷路器分閘過程中的輻射電磁波信號(hào)可以實(shí)現(xiàn)弧觸頭的帶電評(píng)估,提前預(yù)判弧觸頭狀態(tài)。

【文章頁數(shù)】:6 頁

【部分圖文】:

圖1 正常時(shí)分閘時(shí)動(dòng)作產(chǎn)生電磁波信號(hào)原理

圖1 正常時(shí)分閘時(shí)動(dòng)作產(chǎn)生電磁波信號(hào)原理

高壓斷路器分閘時(shí),當(dāng)動(dòng)靜弧觸頭剛剛分離時(shí),觸頭間SF6介質(zhì)的耐受低于動(dòng)靜弧觸頭間承受的電壓時(shí),動(dòng)靜弧觸頭將會(huì)立即擊穿,繼而產(chǎn)生電弧,進(jìn)而激發(fā)一簇電磁波信號(hào),正常時(shí)分閘動(dòng)作都可產(chǎn)生電磁波信號(hào)見圖1。擊穿發(fā)生后,動(dòng)靜弧觸頭間產(chǎn)生的電弧是良導(dǎo)體,電弧中的電流變化接近于工頻電流,動(dòng)靜弧觸....


圖2 弧觸頭燒蝕嚴(yán)重時(shí)動(dòng)作產(chǎn)生電磁波信號(hào)原理

圖2 弧觸頭燒蝕嚴(yán)重時(shí)動(dòng)作產(chǎn)生電磁波信號(hào)原理

但當(dāng)弧觸頭嚴(yán)重?zé)g時(shí),會(huì)形成多個(gè)凹坑或尖刺,進(jìn)而形成多個(gè)極不均勻電場(chǎng)區(qū),動(dòng)靜弧觸頭間擊穿時(shí),這些極不均勻電場(chǎng)區(qū)會(huì)先后發(fā)生擊穿,激發(fā)更多的電磁波信號(hào),即電磁波信號(hào)脈沖持續(xù)時(shí)間增長(zhǎng)、數(shù)量增多,弧觸頭燒蝕嚴(yán)重時(shí)動(dòng)作產(chǎn)生電磁波信號(hào)見圖2。2檢測(cè)裝置


圖3 檢波設(shè)備檢測(cè)結(jié)果原理

圖3 檢波設(shè)備檢測(cè)結(jié)果原理

基于前述的檢測(cè)原理,采用檢波設(shè)備進(jìn)行單相斷路器分閘過程的電磁波信號(hào)采集獲得的波形原理圖見圖3。3實(shí)驗(yàn)室驗(yàn)證與分析


圖4 模擬斷路器平臺(tái)

圖4 模擬斷路器平臺(tái)

為驗(yàn)證評(píng)估方法的有效性,在實(shí)驗(yàn)室內(nèi)搭建了模擬斷路器平臺(tái)。模擬平臺(tái)由步進(jìn)電機(jī)(最大速度3m/s)、電動(dòng)控制箱、拉桿(環(huán)氧樹脂)、模擬滅弧室(金屬腔體、環(huán)氧玻璃板、真實(shí)動(dòng)靜觸頭系統(tǒng))及絕緣支架等構(gòu)成,模擬斷路器平臺(tái)結(jié)構(gòu)見圖4。模擬斷路器平臺(tái)外觀見圖5。圖5模擬斷路器平臺(tái)外觀



本文編號(hào):4033783

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