發(fā)布時(shí)間：2024-07-07 02:43

　　航空航天、電動(dòng)汽車(chē)和新能源發(fā)電技術(shù)的飛速發(fā)展使得對(duì)電力電子裝置的性能指標(biāo)要求日益提高，而電力電子器件對(duì)整個(gè)裝置的性能指標(biāo)具有決定性的影響。與傳統(tǒng)基于硅半導(dǎo)體材料的功率器件相比，新興碳化硅功率器件具有開(kāi)關(guān)速度快、阻斷電壓高和耐高溫工作能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，更能滿足未來(lái)電力電子技術(shù)的發(fā)展要求。隨著碳化硅功率器件制造技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，其應(yīng)用研究受到研究人員越來(lái)越多的關(guān)注。 與硅半導(dǎo)體相比，碳化硅半導(dǎo)體的材料特性存在較大差異，因而碳化硅功率器件不能簡(jiǎn)單理解為高壓硅功率器件，二者的電氣特性有顯著不同。為保證碳化硅功率器件的正確使用并充分發(fā)揮其特性優(yōu)勢(shì)，使得基于碳化硅功率器件的變換器系統(tǒng)能夠獲得更優(yōu)的性能，需要對(duì)碳化硅功率器件的電氣特性和參數(shù)，尤其是開(kāi)關(guān)特性進(jìn)行深入分析和研究。本文詳細(xì)分析了碳化硅肖特基二極管和MOSFET的動(dòng)、靜態(tài)特性，重點(diǎn)討論了其與相應(yīng)硅功率器件的差異，指出特性差異可能帶來(lái)的實(shí)際應(yīng)用問(wèn)題。同時(shí)完成了通態(tài)電阻測(cè)試電路和雙脈沖動(dòng)態(tài)特性測(cè)試電路的樣機(jī)設(shè)計(jì)與制作，實(shí)驗(yàn)測(cè)試與對(duì)比了碳化硅功率器件的主要特性與參數(shù)。 橋臂結(jié)構(gòu)電路中一個(gè)開(kāi)關(guān)管快速開(kāi)關(guān)瞬態(tài)產(chǎn)生的高電壓變化率（dv/dt）會(huì)影響其互...

【文章頁(yè)數(shù)】：82 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
目錄
圖表清單
注釋表
縮略詞
第一章 緒論
    1.1 研究背景
        1.1.1 功率器件對(duì)變換器性能的影響
        1.1.2 SiC 半導(dǎo)體及其器件概述
    1.2 SiC 功率器件的發(fā)展與應(yīng)用研究現(xiàn)狀
        1.2.1 SiC 功率器件的發(fā)展及水平
        1.2.2 SiC 功率器件的應(yīng)用研究現(xiàn)狀
    1.3 SiC 功率器件的應(yīng)用研究問(wèn)題
        1.3.1 SiC 功率器件的特性分析與研究
        1.3.2 SiC MOSFET 橋臂電路高頻串?dāng)_抑制
    1.4 本文的內(nèi)容安排
第二章 SiC 功率器件的特性與參數(shù)分析
    2.1 SiC 肖特基二極管的特性與參數(shù)
        2.1.1 通態(tài)特性及其參數(shù)
        2.1.2 阻態(tài)特性及其參數(shù)
        2.1.3 開(kāi)通過(guò)程及其參數(shù)
        2.1.4 關(guān)斷過(guò)程及其參數(shù)
    2.2 SiC MOSFET 的特性與參數(shù)
        2.2.1 通態(tài)特性及其參數(shù)
        2.2.2 阻態(tài)特性及其參數(shù)
        2.2.3 開(kāi)關(guān)特性及其參數(shù)
        2.2.4 柵極驅(qū)動(dòng)特性及其參數(shù)
    2.3 器件特性實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
        2.3.1 SiC MOSFET 通態(tài)電阻測(cè)試
        2.3.2 雙脈沖測(cè)試電路及主要參數(shù)
        2.3.3 SiC 肖特基二極管開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
        2.3.4 SiC MOSFET 開(kāi)關(guān)特性測(cè)試
    2.4 本章小結(jié)
第三章 SiC MOSFET 橋臂電路高頻串?dāng)_及其抑制方法
    3.1 SiC MOSFET 的高頻化關(guān)鍵問(wèn)題
        3.1.1 寄生參數(shù)的影響
        3.1.2 橋臂電路高頻串?dāng)_原理分析
        3.1.3 SiC MOSFET 串?dāng)_問(wèn)題的特殊性
    3.2 橋臂電路高頻串?dāng)_的常用抑制方法
        3.2.1 無(wú)源抑制方法
        3.2.2 有源抑制方法
    3.3 串?dāng)_抑制措施實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
        3.3.1 常用串?dāng)_抑制措施實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
        3.3.2 有源密勒箝位驅(qū)動(dòng)電路的優(yōu)化設(shè)計(jì)
    3.4 本章小結(jié)
第四章 基于 Si/SiC 功率器件的 Buck 變換器性能對(duì)比
    4.1 主要技術(shù)參數(shù)
    4.2 功率器件的損耗分析與對(duì)比
        4.2.1 Si/SiC 二極管的損耗分析與對(duì)比
        4.2.2 Si/SiC MOSFET 的損耗分析與對(duì)比
        4.2.3 Buck 變換器實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析
    4.3 Si/SiC 基 Buck 變換器無(wú)源器件體積/重量對(duì)比
        4.3.1 Si/SiC 基 Buck 變換器的開(kāi)關(guān)頻率對(duì)比
        4.3.2 輸出濾波電感電容的體積/重量對(duì)比
    4.4 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
    5.1 全文工作總結(jié)
    5.2 后續(xù)工作展望
參考文獻(xiàn)
致謝
在學(xué)期間的研究成果及發(fā)表的學(xué)術(shù)論文



本文編號(hào)：4003029