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高效高精度寬負(fù)載范圍的PSR反激式變換器的研究與設(shè)計(jì)

發(fā)布時(shí)間:2024-05-21 03:59
  消費(fèi)類電子市場(chǎng)的快速發(fā)展對(duì)開(kāi)關(guān)電源技術(shù)提出了越來(lái)越高的要求。對(duì)于將高壓市電轉(zhuǎn)換為低壓供電電源軌的這類開(kāi)關(guān)電源來(lái)說(shuō),可靠性,效率以及成本是非常重要的性能指標(biāo),而原邊反饋的反激式變換器由于其原理簡(jiǎn)單,成本低,同時(shí)由于省去了光耦元件而具有很高的可靠性等優(yōu)點(diǎn),被廣泛地應(yīng)用在各類AC-DC開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品中。本文以原邊反饋的反激式變換器為研究對(duì)象,首先是從變壓器模型入手,介紹了反激式變換器這種開(kāi)關(guān)電源拓?fù)涞幕竟ぷ髟?并分析了其在功率級(jí)上的損耗。接著介紹了原邊反饋的反激式變換器在恒壓輸出條件下的控制策略,尤其是對(duì)峰值電流模PWM和峰值電流模PFM這兩種控制策略進(jìn)行了詳細(xì)介紹,并對(duì)其進(jìn)行了小信號(hào)建模分析,最終討論了保證環(huán)路穩(wěn)定的基本條件以及頻率補(bǔ)償?shù)姆绞健T诖嘶A(chǔ)上,本文介紹了控制芯片的架構(gòu),介紹了恒流和恒壓環(huán)路的原理以及兩者如何進(jìn)行切換。而對(duì)控制芯片性能的優(yōu)化,本文主要著重于兩個(gè)方面:其一是對(duì)于效率問(wèn)題,本文采用了峰值電流模PWM/PFM混合控制策略,拓寬了系統(tǒng)在恒壓模式下的負(fù)載范圍,從而很大程度減小了假負(fù)載的損耗,同時(shí)引入wait模式降低輕載下芯片的功耗以及谷值檢測(cè)機(jī)制以降低開(kāi)關(guān)損耗。其二對(duì)于精...

【文章頁(yè)數(shù)】:80 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】:碩士

【文章目錄】:
摘要
abstract
第一章 緒論
    1.1 反激式變換器的研究背景及發(fā)展趨勢(shì)
    1.2 本論文的主要內(nèi)容和結(jié)構(gòu)安排
第二章 原邊控制反激式變換器整體架構(gòu)設(shè)計(jì)
    2.1 反激式變換器功率級(jí)的基本原理和損耗分析
    2.2 原邊反饋架構(gòu)的基本原理和控制方式
        2.2.1 原邊反饋的基本原理
        2.2.2 PWM調(diào)制Flyback變換器的分析與小信號(hào)建模
        2.2.3 PFM調(diào)制Flyback變換器的分析與小信號(hào)建模
    2.3 原邊反饋Flyback控制芯片整體架構(gòu)的設(shè)計(jì)
        2.3.1 原邊反饋Flyback控制芯片的原理
        2.3.2 系統(tǒng)輸出精度優(yōu)化方案的研究與設(shè)計(jì)
        2.3.3 系統(tǒng)效率方案的研究與設(shè)計(jì)
    2.4 本章小結(jié)
第三章 原邊控制反激式變換器關(guān)鍵模塊設(shè)計(jì)
    3.1 芯片上電及帶隙基準(zhǔn)電路
        3.1.1 芯片上電及帶隙基準(zhǔn)電路的電路結(jié)構(gòu)
        3.1.2 芯片上電及帶隙基準(zhǔn)電路的仿真驗(yàn)證
    3.2 芯片內(nèi)部供電電路
        3.2.1 芯片內(nèi)部供電電路的電路結(jié)構(gòu)
        3.2.2 芯片內(nèi)部供電電路的仿真驗(yàn)證
    3.3 輸出驅(qū)動(dòng)電路
        3.3.1 輸出驅(qū)動(dòng)電路的電路結(jié)構(gòu)
        3.3.2 輸出驅(qū)動(dòng)電路的仿真驗(yàn)證
    3.4 峰值電流限產(chǎn)生電路
        3.4.1 峰值電流限產(chǎn)生電路的電路結(jié)構(gòu)
        3.4.2 峰值電流限產(chǎn)生電路的仿真驗(yàn)證
    3.5 可調(diào)計(jì)時(shí)電路
        3.5.1 可調(diào)計(jì)時(shí)電路的電路結(jié)構(gòu)
        3.5.2 可調(diào)計(jì)時(shí)電路的仿真驗(yàn)證
    3.6 本章小結(jié)
第四章 原邊控制反激式變換器整體仿真驗(yàn)證
    4.1 芯片外圍參數(shù)的設(shè)計(jì)
    4.2 系統(tǒng)的仿真驗(yàn)證
    4.3 本章小結(jié)
第五章 總結(jié)與展望
致謝
參考文獻(xiàn)
攻讀碩士學(xué)位期間取得的成果



本文編號(hào):3979577

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