MOD法制備STO緩沖層及YBCO超導(dǎo)帶材的研究
本文關(guān)鍵詞：高電壓冷絕緣高溫超導(dǎo)電纜的主絕緣設(shè)計(jì)，，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
《電子科技大學(xué)》 2009年
MOD法制備STO緩沖層及YBCO超導(dǎo)帶材的研究
陳文祥
【摘要】： 第二代Y系高溫超導(dǎo)材料具有交流損耗低、磁場(chǎng)下載流能力強(qiáng)、較高的不可逆場(chǎng)等優(yōu)點(diǎn)。然而直接在柔性金屬基帶上沉積超導(dǎo)薄膜存在晶格失配度高和金屬離子和氧離子擴(kuò)散的問題,因此需要在基帶和超導(dǎo)薄膜之間制備緩沖層。MOD方法具有組分容易控制、成本低、易規(guī)模化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn),因此本論文采用MOD法在Ni-5%W合金基帶上制備SrTiO3(STO)緩沖層及YBCO超導(dǎo)薄膜,并對(duì)過渡層薄膜的結(jié)構(gòu)和表面形貌進(jìn)行了系統(tǒng)的研究。 首先本文對(duì)MOD方法制備STO薄膜的工藝參數(shù)做了系統(tǒng)的分析,研究了退火溫度、升溫速率、甩膠速率等工藝參數(shù)對(duì)薄膜結(jié)構(gòu)及表面形貌的影響。并優(yōu)化了工藝參數(shù),在甩膠速率為2000-3000r/min時(shí),采用快速退火的方式在975℃下制備出了具有(200)單一取向、表面平整(RMS=3.6nm)、且具有較好重復(fù)性的STO緩沖層。 另外,為了研究全MOD法制備第二代高溫超導(dǎo)帶材的可行性,我們還進(jìn)行了TFA-MOD法在STO緩沖層上制備YBCO超導(dǎo)薄膜的研究。在800℃和低氧氣氛下制備出具有較好c軸生長(zhǎng)取向的YBCO薄膜。實(shí)驗(yàn)證明單一的STO緩沖層能夠有效地阻擋YBCO超導(dǎo)層與金屬基帶間的互擴(kuò)散,并且能夠傳遞金屬基帶的織構(gòu)。 最后,還對(duì)STO薄膜進(jìn)行了Nb元素?fù)诫s,使其半導(dǎo)化的工作,討論了不同的摻雜濃度對(duì)薄膜的織構(gòu)、表面形貌以及導(dǎo)電性能的影響。在對(duì)薄膜織構(gòu)以及表面形貌影響不大的情況先制備出了具有一定導(dǎo)電性能的STO薄膜。
【關(guān)鍵詞】：
【學(xué)位授予單位】：電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2009
【分類號(hào)】：TM26
【目錄】：
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中國(guó)碩士學(xué)位論文全文數(shù)據(jù)庫(kù) 前10條
1 陳文祥;MOD法制備STO緩沖層及YBCO超導(dǎo)帶材的研究[D];電子科技大學(xué);2009年
2 田震;MOD法制備YBCO高溫超導(dǎo)帶材的緩沖層SrTiO_3研究[D];電子科技大學(xué);2007年
3 孫瑞萍;高分子輔助化學(xué)溶液沉積法制備REBiO_3新型緩沖層[D];西南交通大學(xué);2008年
4 張貴東;磁控濺射法制備涂層導(dǎo)體緩沖層薄膜[D];西南交通大學(xué);2009年
5 張小玲;涂層導(dǎo)體中鈣鈦礦型緩沖層研究[D];陜西師范大學(xué);2008年
6 樊利國(guó);在役棒形懸式瓷絕緣子強(qiáng)度分析及爬波無損評(píng)價(jià)[D];天津大學(xué);2005年
7 許鈞;3C-SiC緩沖層對(duì)在6H-SiC上生長(zhǎng)SiCGe的影響[D];西安理工大學(xué);2006年
8 梁棟;AlGaN日盲紫外探測(cè)器材料生長(zhǎng)及表征[D];長(zhǎng)春理工大學(xué);2008年
9 孫萬(wàn)峰;GaN生長(zhǎng)中氮化工藝及GaMnN薄膜生長(zhǎng)研究[D];大連理工大學(xué);2006年
10 劉寶生;采用緩沖層結(jié)構(gòu)的脈沖功率開關(guān)RSD研究[D];華中科技大學(xué);2006年
本文關(guān)鍵詞：高電壓冷絕緣高溫超導(dǎo)電纜的主絕緣設(shè)計(jì)，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。
本文編號(hào)：112130
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