發(fā)布時間：2024-11-02 10:49

　　 SiC纖維增強(qiáng)SiC陶瓷基復(fù)合材料（簡稱SiC_f/SiC復(fù)合材料）具有低密度、高溫穩(wěn)定性、抗氧化性、高耐腐蝕性等特點,在航天及航空發(fā)動機(jī)熱結(jié)構(gòu)部件及核聚變反應(yīng)堆爐第一壁結(jié)構(gòu)等方面有巨大的潛在用途。目前受工藝條件制約,SiC_f/SiC復(fù)合材料中用來增強(qiáng)的SiC纖維純度不高,C/Si原子比大于1.3,而采用傳統(tǒng)先驅(qū)體浸漬裂解工藝（簡稱PIP）制備的基體材料除了純度不高外,還含有孔隙和缺陷,不能滿足高溫氧化環(huán)境中服役要求。本文通過化學(xué)氣相沉積工藝（CVD）在SiC_f/SiC復(fù)合材料表面制備出一種高純、低缺陷、耐高溫、低氧擴(kuò)散系數(shù)且與基體材料具有良好匹配性的SiC抗氧化梯度涂層,通過SEM分析基體與膜層的結(jié)合情況及涂層的微觀形貌,通過XRD考察涂層的梯度組份及氧化前后涂層成份變化,進(jìn)而探討梯度涂層抗氧化機(jī)理。

【文章頁數(shù)】：5 頁

【文章目錄】：
1 引言
2 實驗
3 結(jié)果與討論
    3.1 Si Cf/Si C復(fù)合材料的氧化機(jī)制
    3.2 Si C/Si C復(fù)合材料表面CVDSi C生長特性分析
    3.3 基體材料對涂層生長的影響
    3.4 成份漸變涂層生長機(jī)理
4 結(jié)論



本文編號：4009474