發(fā)布時(shí)間：2024-07-07 01:32

　　二十一世紀(jì)是信息化的時(shí)代,近年來(lái)人們對(duì)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能和數(shù)據(jù)處理能力的需求不斷提高,這促使了半導(dǎo)體集成工藝和技術(shù)的持續(xù)改進(jìn)和創(chuàng)新,同時(shí)也加快了下一代存儲(chǔ)器件的研究進(jìn)度以期能夠打破摩爾定律的限制。基于阻變效應(yīng)的存儲(chǔ)器件具有優(yōu)異的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和處理能力以及良好的可延展性和兼容性,有望成為下一代存儲(chǔ)器件。鈣鈦礦氧化物BaTiO₃是一種典型的鐵電材料,具有良好的鐵電、壓電性能以及電阻開關(guān)特性。研究表明,由于BaTiO₃具有較大的電光系數(shù),其在光電效應(yīng)方面也有潛在的應(yīng)用前景。而同為鈣鈦礦家族的BiFeO₃是一類在室溫下具有鐵電性和反鐵磁性的單相多鐵材料,其獨(dú)有的特性使它在非易失性阻變存儲(chǔ)器等領(lǐng)域有著廣闊的應(yīng)用前景。本課題利用實(shí)驗(yàn)室超高真空磁控濺射系統(tǒng)制備了高質(zhì)量的BaTiO₃、ITO/Al₂O₃/BiFeO₃/Ag、Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO等薄膜結(jié)構(gòu)。控制合適的生長(zhǎng)條...

【文章頁(yè)數(shù)】：65 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 電阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(ReRAM)
        1.2.1 憶阻器的介紹
        1.2.2 電阻開關(guān)現(xiàn)象
        1.2.3 阻變效應(yīng)形成機(jī)理
    1.3 本論文的研究意義和內(nèi)容
        1.3.1 本論文的研究意義
        1.3.2 本論文的研究?jī)?nèi)容
第二章 BaTiO₃薄膜的光電性質(zhì)及其物相分析
    2.1 BaTiO₃薄膜的制備
    2.2 BaTiO₃薄膜的光電性質(zhì)及其物相分析
        2.2.1 BaTiO₃薄膜的光電特性
        2.2.2 BaTiO₃樣品物相分析
    2.3 本章總結(jié)
第三章 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag多層膜阻變特性
    3.1 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜的制備
    3.2 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜的開關(guān)特性研究
        3.2.1 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜電阻開關(guān)特性曲線
        3.2.2 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜電阻開關(guān)機(jī)理解釋
    3.3 本章總結(jié)
第四章 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO多層膜阻變特性
    4.1 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO器件制備
    4.2 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO薄膜的電阻開關(guān)特性
    4.3 本章總結(jié)
第五章 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
碩士期間發(fā)表論文情況
致謝



本文編號(hào)：4002949