發(fā)布時間：2024-07-07 01:32

　　二十一世紀是信息化的時代,近年來人們對數(shù)據(jù)存儲性能和數(shù)據(jù)處理能力的需求不斷提高,這促使了半導體集成工藝和技術的持續(xù)改進和創(chuàng)新,同時也加快了下一代存儲器件的研究進度以期能夠打破摩爾定律的限制。基于阻變效應的存儲器件具有優(yōu)異的數(shù)據(jù)存儲和處理能力以及良好的可延展性和兼容性,有望成為下一代存儲器件。鈣鈦礦氧化物BaTiO₃是一種典型的鐵電材料,具有良好的鐵電、壓電性能以及電阻開關特性。研究表明,由于BaTiO₃具有較大的電光系數(shù),其在光電效應方面也有潛在的應用前景。而同為鈣鈦礦家族的BiFeO₃是一類在室溫下具有鐵電性和反鐵磁性的單相多鐵材料,其獨有的特性使它在非易失性阻變存儲器等領域有著廣闊的應用前景。本課題利用實驗室超高真空磁控濺射系統(tǒng)制備了高質(zhì)量的BaTiO₃、ITO/Al₂O₃/BiFeO₃/Ag、Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO等薄膜結構�？刂坪线m的生長條...

【文章頁數(shù)】：65 頁

【學位級別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 引言
    1.2 電阻式隨機存儲器(ReRAM)
        1.2.1 憶阻器的介紹
        1.2.2 電阻開關現(xiàn)象
        1.2.3 阻變效應形成機理
    1.3 本論文的研究意義和內(nèi)容
        1.3.1 本論文的研究意義
        1.3.2 本論文的研究內(nèi)容
第二章 BaTiO₃薄膜的光電性質(zhì)及其物相分析
    2.1 BaTiO₃薄膜的制備
    2.2 BaTiO₃薄膜的光電性質(zhì)及其物相分析
        2.2.1 BaTiO₃薄膜的光電特性
        2.2.2 BaTiO₃樣品物相分析
    2.3 本章總結
第三章 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag多層膜阻變特性
    3.1 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜的制備
    3.2 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜的開關特性研究
        3.2.1 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜電阻開關特性曲線
        3.2.2 ITO/BiFeO₃/Al₂O₃/Ag薄膜電阻開關機理解釋
    3.3 本章總結
第四章 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO多層膜阻變特性
    4.1 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO器件制備
    4.2 Si/Pt/Al₂O₃/BiFeO₃/ITO薄膜的電阻開關特性
    4.3 本章總結
第五章 結論
參考文獻
碩士期間發(fā)表論文情況
致謝



本文編號：4002949